[发明专利]半导体器件及其制作方法有效

申请号：	201010279881.7	申请日：	2010-09-09
公开（公告）号：	CN102403261A	公开（公告）日：	2012-04-04
发明（设计）人：	周鸣	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	骆苏华
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件及其制作方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底；

在所述半导体基底表面形成介质层；

在所述介质层表面形成预定厚度的初始界面层；

在所述初始界面层表面依序形成第一介电材料层和第二介电材料层；

对所述第二介电材料层和所述第一介电材料层进行刻蚀工艺，直至暴露出所述初始界面层，形成沟槽，其中，

所述初始界面层的预定厚度大于所述刻蚀工艺的刻蚀深度与第一介电材料层和第二介电材料层厚度之和的差。

2.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述刻蚀深度由所述刻蚀工艺参数决定的。

3.如权利要求2所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述刻蚀工艺参数包括刻蚀功率、刻蚀速率和刻蚀时间。

4.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述初始界面层的预定厚度为100埃至1000埃。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一介电材料层和第二介电材料层中形成沟槽后，在所述第二介电材料层、第一介电材料层、初始界面层和所述介质层中制作导电互连结构。

6.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述介质层为金属前介质层。

7.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述初始界面层的材料为氟硅玻璃或碳掺杂的氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述初始界面层的介电常数k值为4.0至5.0。

9.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述初始界面层是通过物理气相沉积、化学气相沉积、等离子体增强型化学气相沉积或者高温热氧化沉积工艺形成。

10.如权利要求5所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的参数包括：设备压力为0.1托至0.8托，功率为200瓦至1000瓦，八甲基环化四硅氧烷流量为每分钟100标准立方厘米至每分钟1000标准立方厘米，氧气流量为每分钟0标准立方厘米至每分钟160标准立方厘米，所述反应腔室的反应间距为0.2英寸至0.6英寸。

11.如权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，形成所述介质层、初始界面层、第一介电材料层和第二介电材料层是在同一个反应装置或同一个反应腔室中进行。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体基底；

位于所述半导体基底表面的介质层；

位于所述介质层表面的初始界面层，所述初始界面层具有预定厚度；

位于所述初始界面层表面的第一介电材料层和第二介电材料层，其中，

所述初始界面层的预定厚度大于所述刻蚀工艺的刻蚀深度与第一介电材料层和第二介电材料层厚度之和的差。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层为金属前介质层。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述初始界面层的材料为氟硅玻璃或碳掺杂的氧化硅。

15.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述初始界面层的介电常数k值为4.0至5.0。

16.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述初始界面层的厚度为100埃至1000埃。

17.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述第一介电材料层、第二介电材料层、初始界面层和所述介质层中的导电互连结构。