[发明专利]发光二极管封装结构有效
| 申请号: | 201010278276.8 | 申请日: | 2010-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN102403306A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
| 发明(设计)人: | 张超雄;胡必强 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构,尤其是一种便于多个发光二极管实现不同电路连接的发光二极管封装结构。
背景技术
通常,具有多个发光二极管芯片的封装结构,为了实现多个发光二极管芯片之间串联或并联的电路连接,需要在发光二极管芯片的焊垫之间以金属打线的方式进行连接。
如图1-2所示,一种现有技术的发光二极管封装结构1包括基板10、第一发光二极管芯片11、第二发光二极管芯片12和多条金属导线13,保护层14。每一发光二极管芯片包括正极焊垫与负极焊垫(未标示)。该基板10包括安装区域109、第一电极101和第二电极102。该安装区域109定义在该基板10的中心位置。该第一电极101和第二电极102分别设置在该安装区域109相对两侧。该第一发光二极管芯片11和该第二发光二极管芯片12设置在该基板10的安装区域109内。该第一发光二极管芯片11的正极焊垫通过金属导线13连接至该第一电极101。该第一发光二极管芯片11的负极焊垫通过金属导线13连接至该第二发光二极管芯片12的正极焊垫。该第二发光二极管芯片12的负极焊垫通过金属导线13连接至该第二电极102。保护层14覆盖部分基板10、第一发光二极管芯片11、第二发光二极管芯片12和多条金属导线13。如此,该发光二极管封装结构1的第一、第二发光二极管芯片11、12在第一电极101和第二电极102之间以串联的方式形成电路连接,其等效电路如图3所示。
然而,由于静电放电的原因,第一、第二发光二极管芯片11、12的焊垫之间在通过金属打线的方式实现电路连接时较易造成芯片被击穿或受损,因而降低了发光二极管封装结构1的可靠性。另外,由于第一、第二发光二极管芯片11、12的焊垫所在位置均高于基板10上的第一电极101与第二电极102的位置,根据金属打线的工艺,连接第一、第二发光二极管芯片11、12焊垫的金属导线13也相对需要占用更高的空间,即图2中标示的高度H,这也使得发光二极管封装结构1的整体厚度相应增加,与现有技术的封装结构越来越轻薄的趋势不相符。
发明内容
为解决现有技术发光二极管封装结构厚度较大、可靠性较低的问题,有必要提供一种厚度较小、可靠性较高的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构包括基板、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和多条金属导线。每一发光二极管芯片包括正极焊垫与负极焊垫。该基板包括第一电极、第二电极,第三电极、第四电极和内连电极。该基板上表面中心位置的一方形区域定义为安装区域。该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片依次设置在该安装区域内。该第一电极至第四电极分别设置在该基板安装区域之外的四个角落且暴露于该基板的上表面。该内连电极埋设于基板内并电连接该第二电极与该第三电极。该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫分别连接第一电极至第四电极,且该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫不直接互连。
一种发光二极管封装结构包括基板、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片、多条金属导线和保护层。每一发光二极管芯片包括正极焊垫和负极焊垫。该基板包括第一电极、第二电极,第三电极、第四电极、第五电极、第六电极、第一内连电极和第二内连电极。该基板上表面中心位置的一方形区域定义为安装区域,该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片依次设置在该安装区域内。该第一至第四电极分别设置在该基板安装区域之外的四个角落且暴露于该基板的上表面,该第五电极和第六电极位于安装区域的相对两侧且暴露于该基板的上表面,第一内连电极埋设于基板内并电连接该第一电极与第三电极,该第二内连电极埋设于基板内并电连接该第二电极与第四电极,该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫分别连接第一电极至第六电极中的四个,且该第一、第二发光二极管芯片的四个焊垫不直接互连。
相较于现有技术,上述发光二极管封装结构的第一、第二发光二极管芯片的焊垫均直接连接到基板的电极,第一、第二发光二极管芯片之间不再通过金属打线的方式连接,因此上述发光二极管封装结构可靠性较高且厚度较薄。
附图说明
图1是一种现有技术发光二极管封装结构的顶示图。
图2是图1所示发光二极管封装结构的剖面结构示意图。
图3是图1所示发光二极管封装结构的等效电路图。
图4是本发明第一实施方式发光二极管封装结构的顶示图。
图5是图4所示发光二极管封装结构的剖面结构示意图。
图6是图4所示发光二极管封装结构的等效电路图。
图7是图4所示发光二极管封装结构所采用基板的立体分解透视图。
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