[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管(10)，包括：

上覆盖衬底(17)的单晶半导体区(14)的栅极叠层(29)，所述单晶半导体区(14)具有第一组成；

一对设置在所述栅极叠层(29)的相对侧壁上的第一隔离体(32)；

一对主要由具有不同于所述第一组成的第二组成的单晶半导体合金组成的半导体合金区(39)，所述半导体合金区(39)设置在所述栅极叠层(29)的相对侧，每一个所述半导体合金区(39)与所述栅极叠层(29)相隔第一距离；以及

分别至少部分设置在所述半导体合金区(39)中的相应一个中的一对源区和漏区(24)，所述源区和所述漏区(24)分别通过所述第一隔离体(32)对中的相应一个与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离，所述第二距离不同于所述第一距离。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第二距离比所述第一距离长。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述单晶半导体区(14)主要由硅组成，所述半导体合金区(39)主要由硅锗组成。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述半导体合金区(39)至少部分设置在设置于所述单晶半导体区(14)中的沟槽中。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述衬底(17)是绝缘体上硅衬底，所述单晶半导体区(14)是设置在所述绝缘体上硅衬底(17)的隐埋氧化物层(18)的上方的单晶硅区。

6.如权利要求5所述的场效应晶体管，其中，所述半导体合金区(39)的底缘(60)距所述单晶硅区(14)的顶面的深度大约为所述隐埋氧化物层(18)的顶部(64)距所述单晶硅区(14)的顶面的深度的80％或者更大。

7.如权利要求6所述的场效应晶体管，其中，所述底缘(60)的所述深度大约为所述隐埋氧化物层(18)的所述顶部(64)的所述深度的90％。

8.如权利要求1所述的场效应晶体管，还包括下伏于所述第一隔离体(32)并且至少部分下伏于所述栅极叠层(29)的扩展区(25)。

9.如权利要求8所述的场效应晶体管，还包括下伏于所述第一隔离体(32)并且至少部分下伏于所述栅极叠层(29)的晕圈区(23)。

10.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅极叠层(29)的所述侧壁被氧化，其中，所述第一隔离体(32)设置在被氧化的侧壁(31)上。

11.如权利要求1所述的场效应晶体管，还包括从所述第一隔离体(32)向外横向设置的第二隔离体(34)。

12.如权利要求11所述的场效应晶体管，还包括上覆盖所述半导体合金区(39)的硅化物区(40)，所述硅化物区(40)通过所述第一隔离体(32)和所述第二隔离体(34)与所述栅极叠层(29)隔开。

13.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅极叠层(29)包括栅极硅化物区(28)和多晶半导体区(26)，所述栅极硅化物区(28)上覆盖所述多晶半导体区(26)并与所述多晶半导体区(26)自对准。

14.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第二距离小于所述第一距离。

15.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述单晶半导体合金包含至少两种半导体材料。

16.一种场效应晶体管(10)，包括：

上覆盖绝缘体上硅衬底(17)的单晶硅区(14)的栅极叠层(29)；

一对设置在所述栅极叠层(29)的相对侧壁上的第一隔离体(32)；

一对主要由单晶硅锗组成的设置在所述栅极叠层(29)的相对侧的硅锗区(39)，每一个所述硅锗区(39)与所述栅极叠层(29)相隔第一距离；

分别至少部分设置在所述硅锗区(39)中的相应一个中的一对源区和漏区(24)，所述源区和所述漏区(24)分别通过所述第一隔离体(32)对中的相应一个与所述栅极叠层(29)间隔开第二距离；以及

硅化物区，所述硅化物区中的至少一个(28)被设置为所述栅极叠层(29)的层，并且所述硅化物区中的至少另一个(40)至少部分上覆盖所述硅锗区(39)。