[发明专利]半导体器件的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

金属氧化物半导体晶体管包括栅极及位于所述栅极两侧衬底中的源区、漏区，所述栅极两侧还形成位于衬底表面的侧墙。专利号为US6977184B1的美国专利公开了一种侧墙的形成工艺。

除栅极外，侧墙还可能形成在如接触孔、沟槽等半导体结构的两侧或其他位置，对所述半导体结构进行保护或具有其他特定作用。

应不同的器件性能要求，有时同一个基底上的部分半导体结构需要形成侧墙，而部分半导体结构则不需要形成侧墙。如图1所示，包括：基底，所述基底包括第一区域1和第二区域2；位于第一区域1上的半导体结构011和位于第二区域2上的半导体结构012，所述第二区域2上的半导体结构012的两侧形成有侧墙022。

对于上述结构的半导体器件，其形成过程如下：如图2所示，在第一区域1和第二区域2上均形成侧墙。其中，所述侧墙021位于所述半导体结构011的两侧，所述侧墙022位于所述半导体结构012的两侧；如图3所示，在第二区域2上形成覆盖所述半导体结构012和侧墙022的光刻胶层030；如图4所示，湿法去除所述侧墙021；如图5所示，采用灰化去除所述光刻胶层030。

上述技术方案中，需保留的第二区域2上的侧墙022会被部分刻蚀，降低半导体器件性能，且随着半导体器件的关键尺寸逐渐减小，侧墙022被刻蚀的程度加深。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件的形成方法，以解决去除未被光刻胶覆盖的侧墙时，去除环境对被光刻胶覆盖的侧墙造成的损伤。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域上形成有多个半导体结构；

在所述半导体结构两侧形成位于基底表面的侧墙；

形成覆盖所述半导体结构和侧墙的保护层；

形成覆盖第一区域上保护层的光刻胶层；

依次去除第二区域上保护层及侧墙；

依次去除第一区域上光刻胶层及保护层。

可选的，所述半导体结构为栅极、接触孔或沟槽中一种。

可选的，所述保护层为非晶碳、掺杂的非晶碳或者是金刚石薄膜。

可选的，所述保护层的厚度为

可选的，去除所述保护层的方法为干法去除或湿法去除。

本发明还提供一种半导体器件的形成方法，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域上形成有多个半导体结构；

在所述半导体结构两侧形成位于基底表面的侧墙；

形成覆盖所述半导体结构和侧墙的第一保护层，所述第一保护层为非晶碳、掺杂的非晶碳或者是金刚石薄膜；

形成覆盖第一保护层的第二保护层，所述第二保护层为无机材料；

形成覆盖第一区域上第二保护层的光刻胶层；

去除第二区域的第二保护层、第一保护层及侧墙；

去除第一区域的光刻胶层、第二保护层及第一保护层。

可选的，所述半导体结构为栅极、接触孔或沟槽中一种。

可选的，所述第一保护层的厚度为

可选的，去除所述第一保护层的方法为湿法去除或者干法去除。

可选的，所述第二保护层为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅中的一种。

可选的，所述第二保护层的厚度范围为

可选的，去除所述第二保护层的方法为湿法去除。

可选的，所述第二区域上的第二保护层、第一保护层及侧墙和第一区域的光刻胶层、第二保护层及第一保护层的去除顺序为：首先去除第二区域的第二保护层；然后同时去除第一区域的光刻胶层和第二区域的第一保护层；接着去除第二区域的侧墙及第一区域的第二保护层；最后去除第一区域的第一保护层。

与现有技术相比，上述方案具有以下优点：通过在光刻胶层与例墙间形成保护层对所述侧墙进行保护，避免在第二区域侧墙的去除过程中，因光刻胶层的翘起或剥落，对第一区域的侧墙造成损伤的问题。

进一步地，在第一保护层和光刻胶之间还形成有无机材料的第二保护层，避免在第二区域的第一保护层的去除过程中，对第一区域的光刻胶层和第一保护层造成损伤，进而对第一区域侧墙造成损伤的问题。

附图说明

图1至图5为现有技术形成半导体器件的方法；

图6至图11为本发明一个实施例的半导体器件的形成方法剖面结构示意图；