[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域上形成有多个半导体结构；

在所述半导体结构两侧形成位于基底表面的侧墙；

形成覆盖所述半导体结构和侧墙的保护层；

形成覆盖第一区域上保护层的光刻胶层；

去除第二区域上保护层及侧墙；

去除第一区域上光刻胶层及保护层。

2.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体结构为栅极、接触孔或沟槽中一种。

3.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层为非晶碳、掺杂的非晶碳或者是金刚石薄膜。

4.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为

5.根据权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述保护层的方法为干法去除或湿法去除。

6.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域上形成有多个半导体结构；

在所述半导体结构两侧形成位于基底表面的侧墙；

形成覆盖所述半导体结构和侧墙的第一保护层，所述第一保护层为非晶碳、掺杂的非晶碳或者是金刚石薄膜；

形成覆盖第一保护层的第二保护层，所述第二保护层为无机材料；

形成覆盖第一区域上第二保护层的光刻胶层；

去除第二区域的第二保护层、第一保护层及侧墙；

去除第一区域的光刻胶层、第二保护层及第一保护层。

7.根据权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体结构为栅极、接触孔或沟槽中一种。

8.根据权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为

9.根据权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第一保护层的方法为湿法去除或者干法去除。

10.根据权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二保护层为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅中的一种。

11.根据权利要求10所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的厚度范围为

12.根据权利要求11所述半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第二保护层的方法为湿法去除。

13.根据权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二区域上的第二保护层、第一保护层及侧墙和第一区域的光刻胶层、第二保护层及第一保护层的去除顺序为：首先去除第二区域的第二保护层；然后同时去除第一区域的光刻胶层和第二区域的第一保护层；接着去除第二区域的侧墙及第一区域的第二保护层；最后去除第一区域的第一保护层。