[发明专利]记忆胞、记忆体装置及记忆胞的制造方法

权利要求书

1.一种记忆胞，其特征在于其包括：

一基底，具有一第一掺杂区、一第二掺杂区与一通道区，该通道区位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；

一堆叠栅极结构，设置于该通道区上，该堆叠栅极结构由下而上至少包括一电荷陷入层及一栅极；以及

一第一隔离结构，设置于该基底中，该第一隔离结构连接于该第一掺杂区并向该第一掺杂区的下方延伸一预定长度，且该第一隔离结构的底部低于该第一掺杂区的底部。

2.根据权利要求1所述的记忆胞，其特征在于更包括：

一第二隔离结构，设置于该基底中，其中该第二隔离结构连接于该第二掺杂区并向该第二掺杂区的下方延伸该预定长度，且该第二隔离结构的底部低于该第二掺杂区的底部。

3.根据权利要求2所述的记忆胞，其特征在于其中所述的第二隔离结构与该第一隔离结构的材料相同

4.根据权利要求1所述的记忆胞，其特征在于其中所述的第一隔离结构的材料包括二氧化硅、氮化硅或气体。

5.根据权利要求1所述的记忆胞，其特征在于其中所述的第一隔离结构的宽度小于该第一掺杂区的宽度。

6.根据权利要求1所述的记忆胞，其特征在于其中所述的预定长度为300埃至1500埃。

7.一种记忆体装置，其特征在于其包括：

一驱动电路；以及

一记忆胞阵列，耦接于该驱动电路，其中该记忆胞阵列具有多个相互串接的记忆胞，各该记忆胞包括：

一基底，具有一第一掺杂区、一第二掺杂区与一通道区，该通道区位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；

一堆叠栅极结构，设置于该通道区上，该堆叠栅极结构由下而上至少包括一电荷陷入层及一栅极；及

一第一隔离结构，设置于该基底中，该第一隔离结构连接于该第一掺杂区并向该第一掺杂区的下方延伸一预定长度，且该第一隔离结构的底部低于该第一掺杂区的底部。

8.根据权利要求7所述的记忆体装置，其特征在于更包括：

一第二隔离结构，设置于该基底中，其中该第二隔离结构连接于该第二掺杂区并向该第二掺杂区的下方延伸该预定长度，且该第二隔离结构的底部低于该第二掺杂区的底部。

9.根据权利要求8所述的记忆体装置，其特征在于其中所述的第二隔离结构与该第一隔离结构的材料相同。

10.根据权利要求7所述的记忆体装置，其特征在于其中所述的第一隔离结构的材料包括二氧化硅、氮化硅或气体。

11.根据权利要求7所述的记忆体装置，其特征在于其中所述的第一隔离结构的宽度小于该第一掺杂区的宽度。

12.根据权利要求7所述的记忆体装置，其特征在于其中所述的预定长度为300埃至1500埃。

13.一种记忆胞的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基底，该基底中已形成有一第一掺杂区、一第二掺杂区与一通道区，且一堆叠栅极结构已形成于该通道区上，其中该通道区位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，且该堆叠栅极结构由下而上至少包括一电荷陷入层及一栅极；以及

形成一第一隔离结构于该基底中，该第一隔离结构连接于该第一掺杂区并向该第一掺杂区的下方延伸一预定长度，且该第一隔离结构的底部低于该第一掺杂区的底部，其中该第一隔离结构的介电常数大于该基底的介电常数。

14.根据权利要求13所述的记忆胞的制造方法，其特征在于其中形成该第一隔离结构于该基底中的方法包括：

在该第一掺杂区中形成一沟槽，该沟槽的深度大于该第一掺杂区的深度；

在位于该预定长度内的该沟槽中形成该第一隔离结构；

形成一半导体层以填补位于该预定长度外的该沟槽；以及

在该半导体层中重新形成该第一掺杂区。

15.根据权利要求13所述的记忆胞的制造方法，其特征在于更包括：

形成一第二隔离结构于该基底中，其中该第二隔离结构连接于该第二掺杂区并向该第二掺杂区的下方延伸该预定长度，且该第二隔离结构的底部低于该第二掺杂区的底部。

16.根据权利要求13所述的记忆胞的制造方法，其特征在于其中所述的第一隔离结构的材料包括二氧化硅、氮化硅或气体。