[发明专利]影像检测元件无效
申请号: | 201010274193.1 | 申请日: | 2010-09-07 |
公开(公告)号: | CN102403322A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 陈晖暄 | 申请(专利权)人: | 原相科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B1/11 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所 11301 | 代理人: | 牟长林 |
地址: | 中国台湾新竹科学工业*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 检测 元件 | ||
技术领域
本发明有关于一种影像检测元件,且特别是有关于一种具有抗反射膜的影像检测元件。
背景技术
影像检测元件已被广泛地应用在多种电子产品中,如数码相机、行动电话、摄影机、扫描器等。常见的影像检测元件包括电荷耦合元件(charge coupled device,CCD)与金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)影像检测元件。这些影像检测元件通常包括一基底(substrate),且基底上形成有呈阵列排列的多个检测单元,而这些检测单元用以检测光线。
承上述,为了让影像检测元件所检测到的影像为彩色影像,基底上通常形成有一彩色滤光层(color filter layer)。此外,为了提高每一检测单元的检测范围,在彩色滤光层上会形成多个微透镜,而这些微透镜分别对应这些检测单元。
虽然微透镜可提高每一检测单元的检测范围,但因微透镜的入光效率不佳,导致光线入射微透镜时容易产生杂散光。如此,每一检测单元容易检测到从邻近的微透镜散射而来的杂散光,导致影像检测元件所检测到的影像品质不佳。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种影像检测元件,以提升影像检测品质。
为达上述优点,本发明提出一种影像检测元件,其包括一基底、一彩色滤光层、多个微透镜以及多个抗反射单元。基底具有多个检测单元,而彩色滤光层覆盖这些检测单元。这些微透镜配置于彩色滤光层上,且这些微透镜分别对应这些检测单元。此外,这些抗反射单元分别配置于这些微透镜上。每一抗反射单元包括堆叠于对应的微透镜上的多个抗反射膜,且相邻的二抗反射膜的折射率不同。
在本发明的一实施例中,上述的每一抗反射单元包括一第一抗反射膜与一第二抗反射膜。第一抗反射膜配置于对应的微透镜上,而第二抗反射膜配置于第一抗反射膜上,且第一抗反射膜的折射率低于第二抗反射膜的折射率。
在本发明的一实施例中,上述的每一抗反射单元包括多个第一抗反射膜与多个第二抗反射膜。第一抗反射膜与第二抗反射膜交替堆叠于对应的微透镜上,这些第一抗反射膜其中的一接触对应的微透镜,且第一抗反射膜的折射率低于第二抗反射膜的折射率。
在本发明的一实施例中,上述的第一抗反射膜的折射率为N1,第二抗反射膜的折射率为N2,且N2大于或等于N1。
在本发明的一实施例中,上述的影像检测元件更包括一保护层,配置于基底与彩色滤光层之间。
在本发明的一实施例中,上述的抗反射膜的材质包括二氧化钛(TiO2)、氟化镁(MgF2)或氟化锌(ZnF2)。
在本发明的影像检测元件中,由于每一微透镜上设有抗反射单元,所以可增加微透镜的入光效率并减少杂散光的产生,进而降低检测单元检测到杂散光的机率。因此,本发明的影像检测元件具有较佳的影像检测品质。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下。
附图说明
图1是本发明一实施例的一种影像检测元件的示意图。
图2是本发明另一实施例的一种影像检测元件的示意图。
主要元件符号说明:
100、100’:影像检测元件 110:基底
112:检测单元 120:彩色滤光层
122、124、126:彩色滤光图案 128:平坦层
130:微透镜1 40、140’:抗反射膜
142:第一抗反射膜 144:第二抗反射膜
150:保护层
具体实施方式
图1是本发明一实施例的一种影像检测元件的示意图。请参照图1,本实施例的影像检测元件100可为电荷耦合元件与金属氧化物半导体影像检测元件,但不以此为限。此影像检测元件100包括一基底110、一彩色滤光层120、多个微透镜130以及多个抗反射单元140。基底110具有多个检测单元112,而彩色滤光层120覆盖这些检测单元112。这些微透镜130配置于彩色滤光层120上,且这些微透镜130分别对应这些检测单元112。此外,这些抗反射单元140分别配置于这些微透镜130上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的