[发明专利]半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法无效
申请号: | 201010271914.3 | 申请日: | 2010-09-04 |
公开(公告)号: | CN101957515A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 黄凯泓;王丽雯 | 申请(专利权)人: | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1335;H01L21/77 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 穿透 反射 液晶显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种半穿透半反射式液晶显示面板之制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板,该基板具有至少一画素区,且该画素区定义有一组件区、一穿透区与一反射区;
于该基板上形成一第一图案化导电层,以于该组件区内形成一闸极电极,且于该反射区内形成一反射电极;
于该第一图案化导电层与该基板上形成一第一绝缘层;
于该第一绝缘层上形成一图案化半导体层,其中该图案化半导体层大体上对应该闸极电极;
于该第一绝缘层与该图案化半导体层上形成一第二图案化导电层,以于该组件区内形成一源极电极与一汲极电极,且于该反射区内形成一图案化反射层;
于该第二图案化导电层与该第一绝缘层上形成一第二绝缘层;
于该第二绝缘层中形成至少一第一接触孔,且于该第二绝缘层和该第一绝缘层中形成至少一第二接触孔,并于该第二绝缘层中形成至少一第三接触孔,其中该第一接触孔暴露出部分该汲极电极,该第二接触孔暴露出部分该反射电极,且该第三接触孔暴露出部分该图案化反射层;以及
于该第二绝缘层上形成至少一穿透电极,其中该穿透电极设置于该穿透区、部分该反射区与部分该组件区内,且该穿透电极填入该第一接触孔、该第二接触孔、与该第三接触孔中,以分别与该汲极电极、该反射电极、与该图案化反射层电性连接。
2.根据权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板之制作方法,其特征在于:该图案化反射层包括复数个反射凸块。
3.根据权利要求2所述的半穿透半反射式液晶显示面板之制作方法,其特征在于:该等反射凸块是彼此电性连接。
4.根据权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板之制作方法,其特征在于:该第二图案化导电层另外包括至少一独立凸块,设置于该反射区内,且该独立凸块并未与该图案化反射层电性连接。
5.根据权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板之制作方法,其特征在于:该第一图案化导电层另外包括一储存电容电极,设置于该组件区内。
6.一种半穿透半反射式液晶显示面板,包括:
一基板,该基板具有至少一画素区,且该画素区定义有一组件区、一穿透区与一反射区;
一第一图案化导电层,设置于该基板上,其中该第一图案化导电层至少包括一闸极电极与一反射电极,且该闸极电极设置于该组件区内,而该反射电极设置于该反射区内;
一第一绝缘层,设置于该第一图案化导电层与该基板上;
一图案化半导体层,设置于该第一绝缘层上,其中该图案化半导体层大体上对应该闸极电极;
一第二图案化导电层,设置于该第一绝缘层与该图案化半导体层上,其中该第二图案化导电层至少包括一源极电极、一汲极电极与一图案化反射层,且该源极电极与该汲极电极设置于该组件区内,而该图案化反射层设置于该反射区内;
一第二绝缘层,设置于该第二图案化导电层与该第一绝缘层上,其中该第二绝缘层具有一第一接触孔以暴露出部分该汲极电极,该第二绝缘层和该第一绝缘层具有一第二接触孔以暴露出部分该反射电极,且该第二绝缘层具有一第三接触孔以暴露出部分该图案化反射层;以及
至少一穿透电极,设置于该第二绝缘层上,其中该穿透电极设置于该穿透区、部分该反射区与部分该组件区内,且该穿透电极是填入于该第一接触孔、该第二接触孔、与该第三接触孔中,以分别与该汲极电极、该反射电极、与该图案化反射层电性连接。
7.根据权利要求6所述的半穿透半反射式液晶显示面板,其特征在于:该图案化反射层包括复数个反射凸块。
8.根据权利要求7所述的半穿透半反射式液晶显示面板,其特征在于:该等反射凸块是彼此电性连接。
9.根据权利要求6所述的半穿透半反射式液晶显示面板,其特征在于:该第二图案化导电层另外包括至少一独立凸块,设置于该反射区内,且该独立凸块并未与该图案化反射层电性连接。
10.根据权利要求6所述的半穿透半反射式液晶显示面板,其特征在于:该第一图案化导电层另外包括一储存电容电极,设置于该组件区内。
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