[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010270179.4 申请日: 2010-08-26
公开(公告)号: CN101964337A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 黄文彬;徐正宗;郑明贤;钟国升 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/28
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种半导体封装结构及其制造方法,且特别是有关于一种采用铜线进行打线的半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

半导体芯片经过一连串的封装工艺后,即形成一封装结构,使得半导体芯片得以透过封装基板电性连接至印刷电路板,并受到封胶的保护。

其中,半导体芯片常用金线进行打线工艺,以电性连接半导体芯片及封装基板。近年来,为了降低成本,打线工艺常以铜线取代金线。然而,铜线比金线容易氧化,尤其是在封装工艺的几个加热步骤中,铜线的氧化现象更加严重。因此,一直以来,采用铜线的半导体封装结构的可靠度以及良率无法有效提升,影响科技发展甚巨。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装结构及其制造方法,其利用保护胶的设计使得铜线可以有效受到保护,进而提升半导体封装结构的产品可靠度及良率。

根据本发明的第一方面,提出一种半导体封装结构。半导体封装结构包括一基板、一第一芯片、数条铜线、一保护胶、一支撑材料、一第二芯片及一封胶。基板包括数个第一焊垫。第一芯片包括数个第二焊垫。第一芯片设置于基板上。此些铜线电性连接此些第一焊垫及此些第二焊垫。保护胶完整包覆此些铜线、此些第一焊垫及此些第二焊垫。支撑材料设置于第一芯片上。第二芯片设置于支撑材料上。封胶覆盖第一芯片、保护胶、支撑材料、第二芯片及此些铜线。

根据本发明的一第二方面,提出一种半导体封装结构。半导体封装结构包括一基板、一第一芯片、数条铜线、一第一保护胶、一支撑材料、一第二芯片及一封胶。基板包括数个第一焊垫。第一芯片包括数个第二焊垫。第一芯片设置于基板上。此些铜线电性连接此些第一焊垫及此些第二焊垫。第一保护胶仅包覆此些第一焊垫及各个铜线的一第一线端。各个第一线端接合于各个第一焊垫。支撑材料设置于第一芯片上。第二芯片设置于支撑材料上。封胶覆盖第一芯片、保护胶、支撑材料、第二芯片及此些铜线。

根据本发明的一第三方面,提出一种半导体封装结构的制造方法。半导体封装结构的制造方法包括以下步骤。提供一基板。基板包括数个第一焊垫。设置一第一芯片于基板上。以数条铜线焊接此些第一焊垫及此些第二焊垫,其中此些铜线可由此些第一焊垫焊接至此些第二焊垫,也可由此些第二焊垫焊接至此些第一焊垫。设置一保护胶,以至少包覆各个铜线的一第一线端及此些第一焊垫。各个第一线端接合于各个第一焊垫。设置一支撑材料于第一芯片上。加热支撑材料。设置一第二芯片于支撑材料上。设置一封胶。封胶覆盖第一芯片、保护胶、支撑材料、第二芯片及此些铜线。其中,加热支撑材料的步骤执行于设置保护胶的步骤之后。

为了对本发明的上述及其它方面有更佳的了解,下文特举较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下:

附图说明

图1绘示第一实施例的半导体封装结构的剖面示意图。

图2绘示图1的半导体封装结构的俯视图。

图3绘示另一实施例的半导体封装结构的俯视图。

图4绘示本实施例的半导体封装结构的制造方法。

图5绘示第二实施例的半导体封装结构的剖面示意图。

图6绘示图5的半导体封装结构的俯视图。

图7绘示另一实施例的半导体封装结构的俯视图。

图8绘示第三实施例的半导体封装结构的剖面示意图。

图9绘示图8的半导体封装结构的俯视图。

图10绘示另一实施例的半导体封装结构的俯视图。

主要组件符号说明:

100、100’、200、200’、300、300’:半导体封装结构

110:基板

110a:上表面

111:第一焊垫

120:第一芯片

120a:主动表面

120b:侧表面

120c:背面

121:第二焊垫

130:铜线

130a:第一线端

130b:第二线端

140、241、242、340:保护胶

150:支撑材料

160:第二芯片170:焊线

180:封胶

R:转角

S:空间

D1、D4、D5、D6、D9、D10、D11、D12、D13、D17、D18:厚度

D2、D7、D14:间距

D3、D8、D15、D16:间隙

S101~S109:流程步骤

具体实施方式

第一实施例

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010270179.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top