[发明专利]两次曝光一条线路间距分离方法

权利要求书

1.一种用于在酸敏材料层中蚀刻图形的方法，所述方法包括以下步骤：

形成酸敏材料层；

在所述酸敏材料层上形成并构图抗蚀剂层；

在所述构图的光致抗蚀剂层上以及被所述光致抗蚀剂暴露的所述酸敏材料的区域上施加酸性上覆层；

活化所述酸敏材料的所述区域；以及

显影所述酸敏材料的所述活化的区域，以将所述抗蚀剂中的图形转移到所述酸敏材料。

2.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

在所述酸敏材料层上形成并构图另一抗蚀剂层；

在所述构图的光致抗蚀剂层上以及被所述光致抗蚀剂暴露的所述酸敏材料的区域上施加酸性上覆层；

活化所述酸敏材料的所述区域；以及

显影所述酸敏材料的所述活化的区域，以将所述抗蚀剂中的图形转移到所述酸敏材料。

3.根据权利要求2的方法，还包括以下步骤：

将在所述酸敏材料中显影的图形转移到下伏的材料层。

4.根据权利要求2的方法，其中所述酸敏材料被形成在有机平面化层上。

5.根据权利要求2的方法，还包括以下步骤：

调节在所述抗蚀剂中的构图的特征的尺寸。

6.根据权利要求2的方法，还包括以下步骤：

调节在所述酸敏材料中的构图的特征的尺寸。

7.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

将在所述酸敏材料中显影的图形转移到下伏的材料层。

8.根据权利要求1的方法，其中所述酸敏材料被形成在有机平面化层上。

9.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

调节在所述抗蚀剂中的构图的特征的尺寸。

10.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

调节在所述酸敏材料中的构图的特征的尺寸。

11.一种用于半导体制造的间距分离方法，所述方法包括以下步骤：

形成酸敏材料层；

使用光刻间距分离曝光掩模在所述酸敏材料层上形成并构图光致抗蚀剂层；

在所述构图的光致抗蚀剂层上以及被所述光致抗蚀剂暴露的所述酸敏材料的区域上施加酸性上覆层；

活化所述酸敏材料的所述区域；

显影所述酸敏材料的活化的区域；

使用另一光刻间距分离曝光掩模在所述酸敏材料层上形成并构图另一光致抗蚀剂层；

在所述另一构图的光致抗蚀剂层上以及被所述光致抗蚀剂暴露的所述酸敏材料的区域上施加酸性上覆层；

活化所述酸敏材料的所述区域；以及

显影所述酸敏材料的活化的区域。

12.根据权利要求11的方法，还包括以下步骤：

将在所述酸敏材料中显影的图形转移到下伏的材料层。

13.根据权利要求11的方法，其中所述酸敏材料被形成在有机平面化层上。

14.根据权利要求11的方法，还包括以下步骤：

调节在所述抗蚀剂中的构图的特征的尺寸。

15.根据权利要求11的方法，还包括以下步骤：

调节在所述酸敏材料中的构图的特征的尺寸。

16.一种集成电路，其具有被这样的距离彼此分隔的结构，所述距离小于所述结构的横向尺寸，所述集成电路通过包括以下步骤的方法形成：

形成酸敏材料层；

使用光刻间距分离曝光掩模在所述酸敏材料层上形成并构图光致抗蚀剂层；

在所述构图的光致抗蚀剂层上以及被所述光致抗蚀剂暴露的所述酸敏材料的区域上施加酸性上覆层；

活化所述酸敏材料的所述区域；

显影所述酸敏材料的活化的区域；

使用另一光刻间距分离曝光掩模在所述酸敏材料层上形成并构图另一光致抗蚀剂层；

在所述另一构图的光致抗蚀剂层上以及被所述光致抗蚀剂暴露的所述酸敏材料的区域上施加酸性上覆层；

活化所述酸敏材料的所述区域；以及

显影所述酸敏材料的活化的区域。