[发明专利]半导体装置及其芯片选择方法无效

专利信息
申请号: 201010267765.3 申请日: 2010-08-31
公开(公告)号: CN102208397A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 高在范;崔俊基 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;黄启行
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 芯片 选择 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

个体芯片指定码设置模块,所述个体芯片指定码设置模块被配置为产生具有不同值的多个个体芯片指定码;

个体芯片激活模块,所述个体芯片激活模块被配置为将多个个体芯片激活信号中的个体芯片激活信号使能,其中,被使能的所述个体芯片激活信号对应于当所述个体芯片指定码中的一个与个体芯片控制码匹配时的个体芯片指定码;以及

控制模块,所述控制模块被配置为响应于芯片选择熔丝信号和测试熔丝信号来设置所述个体芯片控制码或者将芯片选择地址输出作为所述个体芯片控制码。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述个体芯片指定码设置模块产生具有相同比特数的所述个体芯片指定码。

3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述个体芯片激活模块包括多个比较单元,所述多个比较单元被配置为将所述个体芯片指定码与所述个体芯片控制码进行比较,并产生个体芯片激活信号。

4.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述控制模块包括:

选择码发生电路,所述选择码发生电路被配置为响应于所述芯片选择熔丝信号来设置选择码或者将所述多个芯片选择地址输出作为所述选择码;以及

选择性反相输出单元,所述选择性反相输出单元被配置为响应于所述测试熔丝信号来将所述选择码的预定比特进行反相,并至少从所述选择码的被反相了的比特来产生所述个体芯片控制码。

5.如权利要求4所述的半导体装置,其中,

所述芯片选择熔丝信号包括第一芯片选择熔丝信号至第三芯片选择熔丝信号,并且所述选择码包括2比特,以及

所述选择码发生电路包括:

第一选择单元,所述第一选择单元被配置为当第一芯片选择熔丝信号被使能时,将所述选择码的所有比特固定为规定的电平;

第二选择单元,所述第二选择单元被配置为当第二芯片选择熔丝信号被使能时,将所述选择码的一个预定比特固定为规定的电平,并将所述芯片选择地址中的一个输出作为所述选择码的非固定比特;以及

第三选择单元,所述第三选择单元被配置为当第三芯片选择熔丝信号被使能时,将所述芯片选择地址输出作为所述选择码。

6.如权利要求5所述的半导体装置,其中,当所述第二芯片选择熔丝信号被使能时,所述第二选择单元将所述选择码的最高有效比特固定为规定的电平,并将所述芯片选择地址的最低有效比特地址输出作为所述选择码的最低有效比特。

7.如权利要求4所述的半导体装置,其中,

所述选择码包括2比特,并且所述测试熔丝信号包括第一测试熔丝信号和第二测试熔丝信号,以及

所述选择性反相输出单元响应于所述第一测试熔丝信号而将所述选择码的一个比特反相或不进行反相并将反相了的或未反相的比特输出作为所述个体芯片控制码的一个比特,并且响应于所述第二测试熔丝信号将所述选择码的另一个比特反相或不进行反相并将反相了的或未反相的比特输出作为所述个体芯片控制码的另一个比特。

8.如权利要求7所述的半导体装置,其中,所述选择性反相输出单元包括:

第一反相部,所述第一反相部被配置为接收所述选择码的一个比特;

第二反相部,所述第二反相部被配置为接收所述选择码的另一个比特;

第一多路复用器,所述第一多路复用器被配置为响应于所述第一测试熔丝信号而将所述选择码的一个比特或所述第一反相部的输出信号输出作为所述个体芯片控制码的一个比特;

第二多路复用器,所述第二多路复用器被配置为响应于所述第二测试熔丝信号而将所述选择码的另一个比特或所述第二反相部的输出信号输出作为所述个体芯片控制码的另一个比特。

9.一种半导体装置的个体芯片选择方法,所述方法用于产生具有不同编码值的多个个体芯片指定码、将产生的各个个体芯片指定码与芯片选择地址进行比较、以及将多个个体芯片激活信号中的一个使能,所述方法包括以下步骤:

响应于芯片选择熔丝信号来确定所述多个个体芯片激活信号中根据所述芯片选择地址而被使能的个体芯片激活信号的数量;以及

根据在所述确定步骤中确定的个体芯片激活信号的数量将所述多个个体芯片激活信号划分为多个组,并响应于测试熔丝信号来选择所述多个组中的一个。

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