[发明专利]发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其包括基板、形成于基板上的三发光芯片及位于该三个发光芯片中的至少两个的光路上的至少二荧光粉层，该至少二发光芯片发出的光通过该至少二荧光粉层后产生不同波段的光，每一发光芯片包括第一N型半导体层、P型半导体层及位于P型半导体层及N型半导体层之间的发光层，其特征在于：任一发光芯片的发光层面积与其最终出射光在三发光芯片出射光的混光中所占的强度比重成正比。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该三发光芯片为第一发光芯片、第二发光芯片及第三发光芯片，该三发光芯片均生长于该基板上。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：至少二荧光粉层包括对应于第一发光芯片的第一荧光封层及对应于第二发光芯片的第二荧光粉层，第一荧光粉层包含绿色的荧光粉，第二荧光粉层包括红色的荧光粉。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该三发光芯片为蓝光发光芯片。

5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：至少二荧光粉层还包括对应第三发光芯片的第三荧光粉层，该第三荧光粉层包括蓝色的荧光粉。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该三发光芯片为紫外发光芯片。

7.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：第一发光芯片、第二发光芯片及第三发光芯片的发光层面积逐渐减小。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于：第一发光芯片、第二发光层芯片及第三发光层芯片的发光层面积比为6∶3∶1。

9.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于：第一荧光粉层的光转换效率为E₁，第二荧光粉层的光转换效率为E₂，混光中绿光、红光及蓝光所占比重为I₁∶I₂∶I₃，第一发光芯片、第二发光芯片及第三发光芯片的发光层面积比为I₁E₂∶I₂E₁∶I₃E₁E₂。

10.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于：第一荧光粉层的光转换效率为E₁，第二荧光粉层的光转换效率为E₂，第三荧光粉层的光转换效率为E₃，混光中绿光、红光及蓝光所占比重为I₁∶I₂∶I₃，第一发光芯片、第二发光芯片及第三发光芯片的发光层面积比值为I₁E₂E₃∶I₂E₁E₃∶I₃E₁E₂。

11.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该三发光芯片的P型半导体层、N型半导体层及发光层彼此断开。

12.如权利要求1至6任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该三发光芯片的P型半导体层及发光层彼此断开，N型半导体层连接为一整体。