[发明专利]增强式高电子移动率晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种增强式高电子移动率晶体管，其特征在于，包括：

一缓冲层，磊晶于一基板上；

一源级及一漏极，形成于该缓冲层上；

多个P-N接面，其由多层堆栈的P-N接面形成于该缓冲层上、及该源级与漏极之间；及

一栅极，形成于该P-N接面的堆栈上。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该源级或漏极与该P-N接面的堆栈相隔离。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该基板的材料选自砷化镓、氮化镓、硅、碳化硅、及蓝宝石。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该缓冲层的结构由多层的材料层所构成。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，该缓冲层的材料选自砷化镓、氮化镓、氮化铝、氮化镓铝、及上述材料的组合。

6.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，该缓冲层的结构由上而下依序为氮化镓铝/氮化镓/氮化铝、或氮化镓/氮化镓铝/氮化铝/氮化镓/氮化铝。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该源级或漏极的材料选自钛、铝、钨、镍、及金。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该P-N接面由一P型及一N型半导体层所构成。

9.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该P-N接面的材料选自砷化镓、氮化镓、氮化铝、及氮化镓铝。

10.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，该栅极的材料选自铂、铝、钛、金、氮化钨、及上述材料的组合。

11.一种增强式高电子移动率晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一具有一缓冲层的基板；

形成多个P-N接面，多层堆栈于该缓冲层上；

去除于预定的栅极区域之外的P-N接面堆栈；

于该缓冲层上及分别于该预定栅极区域的两侧形成一源级及漏极；及

形成一栅极于该P-N接面堆栈之上。

12.根据权利要求11所述的晶体管的制造方法，其特征在于，该源级或漏极与该P-N接面的堆栈相隔离。

13.根据权利要求11所述的晶体管的制造方法，其特征在于，该基板的材料选自砷化镓、氮化镓、硅、碳化硅、及蓝宝石。

14.根据权利要求11所述的晶体管的制造方法，其特征在于，该缓冲层的结构是由多层的材料层所构成。

15.根据权利要求14所述的晶体管的制造方法，其特征在于，该缓冲层的材料选自砷化镓、氮化镓、氮化铝、氮化镓铝、及上述材料的组合。

16.根据权利要求14所述的晶体管的制造方法，其特征在于，该缓冲层的结构由上而下依序为氮化镓铝/氮化镓/氮化铝、或氮化镓/氮化镓铝/氮化铝/氮化镓/氮化铝。

17.根据权利要求11所述的晶体管的制造方法，其特征在于，该源级或漏极的材料选自钛、铝、钨、镍、及金。

18.根据权利要求11所述的晶体管的制造方法，其特征在于，该P-N接面由一P型及一N型半导体层所构成。

19.根据权利要求11所述的晶体管的制造方法，其特征在于，该P-N接面的材料选自砷化镓、氮化镓、氮化铝、及氮化镓铝。

20.根据权利要求11所述的晶体管的制造方法，其特征在于，该栅极的材料选自铂、铝、钛、金、氮化钨、及上述材料的组合。