[发明专利]一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件及其制备工艺

权利要求书

1.一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件，包括：P型半导体衬底(9)，在半导体衬底(9)上面设置有埋氧化层(8)，在埋氧化层(8)上设有P外延层(6)，在P外延层和上面设有N型漂移区(7)与P型阱区(15)，在P阱区(15)表面设有N型源区(12)和P型接触区(11)，在N型漂移区(7)上设有N型缓冲区(14)，在所述的N型缓冲区上方设置P型漏区(10)，在P外延层(6)的表面还设有和栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自P外延层(6)延伸至N型漂移区(7)，在P外延层(6)表面的N型源区(12)、P型接触区(11)，N型漂移区(7)表面除P型漏区(10)以外的区域设有场氧化层(1)，在栅氧化层(3)的表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至场氧化层(1)的表面，在场氧化层(1)、P型接触区(11)、N型源区(12)、多晶硅栅(4)及P型漏区(10)的表面设有氧化层(5)，在N型源区(12)、P型接触区(11)、多晶硅栅(4)和P型漏区(10)上分别连接有金属层(2)。其特征在于所述的提高电流密度的高压N型绝缘体上硅横向器件的N型缓冲区(14)为N型环形缓冲区且所述N型环状缓冲区向内扩散形成N型缓冲扩散区(16)。

2.根据权利要求1所述的提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件，其特征在于：其特征在于：N型缓冲扩散区(16)厚度比N型缓冲区(14)薄0.3-0.5微米。

3.根据权利要求1所述的提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件，其特征在于：N型缓冲扩散区(16)的浓度是N型缓冲区(14)浓度的1/3-1/2。

4.一种权利要求1所述N型绝缘体上硅N横向器件制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，在SOI上生长P型外延层(6)；

第二步，光刻、注入磷与砷离子、扩散，生成N型漂移区(7)；光刻、注入硼离子、扩散，生成P阱区(15)；

第三步，光刻、注入磷与砷离子，形成环形N型缓冲区(14)，再经过热扩散生成N型缓冲扩散区(16)；

第四步，生长场氧化层(1)、刻蚀、生长栅氧(3)；

第五步，多晶硅栅(4)淀积、回刻；

第六步，光刻、源区(12)与漏区(10)注入、扩散；

第七步，刻蚀氧化层形成接触孔；

第八步，金属层淀积、光刻、刻蚀，形成金属层(2)。

5.根据权利要求4所述的制备工艺，其特征在于，形成N型缓冲区(14)的环形离子注入窗口内边界距离P型漏区(10)的中心线0.5-1微米。