[发明专利]纳米结构热电材料、器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010264537.0 申请日: 2010-08-26
公开(公告)号: CN101969096A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 任山;叶志超;李立强;李义兵;洪澜 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L35/02 分类号: H01L35/02;H01L35/34
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 陈燕娴
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 纳米 结构 热电 材料 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米结构热电材料,其特征在于:该热电材料包括绝缘衬底和热电膜;所述热电膜包括至少2层热电层和至少2层声子散射层,热电层和声子散射层交替覆盖,最里侧的1层热电层覆盖在衬底上,所述热电层的厚度为1nm~200nm;所述声子散射层的厚度为1nm~100nm。

2.根据权利要求1所述的一种纳米结构热电材料,其特征在于:所述热电层的层数为2~10000;所述声子散射层的层数为2~10000;所述衬底为玻璃、二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化镁、云母、聚酰胺、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰胺6、共聚多酰胺6-X、聚芳香酰胺MXD6或聚苯硫醚,所述共聚多酰胺6-X中的X=6~12之间的自然数;所述热电层为单质热电材料或化合物热电材料;所述声子散射层为纳米颗粒层或者绝缘纳米薄膜层。

3.根据权利要求2所述的一种纳米结构热电材料,其特征在于:所述单质热电材料为铋或硅;所述化合物热电材料为铋碲系合金、钴锑系合金、硅锗系合金、铋锑系合金、铅碲系合金、锌锑系合金或镁硅系合金;所述纳米颗粒层为纳米金属颗粒层或纳米绝缘颗粒层;纳米金属颗粒层中金属颗粒之间相互不接触。

4.根据权利要求3所述的一种纳米结构热电材料,其特征在于:所述纳米金属颗粒层为高熔点金属、过渡金属、半金属或类金属;所述纳米绝缘颗粒层为二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化镁、碳化硅、氧化钛或氮化钛;所述金属颗粒和绝缘颗粒的粒度为1nm~100nm;所述绝缘薄膜层为二氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化镁、氧化钛或氮化钛。

5.根据权利要求4所述的一种纳米结构热电材料,其特征在于:所述高熔点金属为钨、钼、金、钛、铌或它们的合金;所述过渡金属为镍、铁、钴、铬或它们的合金;所述半金属为铋、锑或它们的合金;所述类金属为硅、锗或它们的合金。

6.根据权利要求1所述的一种纳米结构热电材料,其特征在于:所述热电层是p型热电材料,得到p型纳米结构热电材料;所述热电层是n型热电材料,得到n型纳米结构热电材料。

7.根据权利要求1所述的一种纳米结构热电材料的制备方法,其特征在于包括以下操作步骤:

(1)清洗衬底,去除油脂和附着物;

(2)采用物理气相方法或者化学方法在清洗过的衬底上沉积一层热电层,再沉积一层声子散射层,反复沉积操作2~10000次,得到具有周期结构的热电膜;

(3)将热电膜在真空或者惰性气体氛围中,在60~1000℃下,进行进行热处理10分钟~100小时,得到纳米结构热电材料。

8.根据权利要求1所述的一种纳米结构热电材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述物理气相方法为溅射法、热蒸法、电子束蒸发沉积法或激光束蒸发沉积法;所述溅射的功率密度为0.1W/cm2~20W/cm2

9.根据权利要求1所述的一种纳米结构热电材料应用于制备热电器件。

10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于:所述热电器件按以下操作步骤进行制备:将沿衬底交替平行间隔排列的带状p型纳米结构热电材料和n型纳米结构热电材料之间镀上连接电极,构成p-n热电对,使电流沿热电膜表面传输;将多个热电对并联或串联得到热电器件。

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