[发明专利]一种脉冲调制电路无效
申请号: | 201010262802.1 | 申请日: | 2010-08-24 |
公开(公告)号: | CN101937639A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 叶启龙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 脉冲调制 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种脉冲调制电路,尤其涉及一种在薄膜晶体管液晶显示器中用来产生栅极驱动信号的脉冲调制电路。
背景技术
对于传统的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display,TFT-LCD)来说,用于TFT的驱动原理通常设计为,利用栅极控制信号来操作该TFT的开启或关断,从而控制每一子像素是否已被充电。具体地,当输入一栅极控制信号使TFT为“ON”(开启)时,将待显示的数据信号经由TFT传送至对应的子像素;当输入另一栅极控制信号使TFT为“OFF”(关断)时,待显示的数据信号就无法经由TFT传送至对应的子像素。
一般而言,液晶面板的图像显示藉由许多像素组合而成。在整个面板的像素阵列中,不妨将每个子像素视为一个个的等效电阻和等效电容。在该情形下,每一栅极控制信号经过一连串的等效电阻和等效电容来传递信号时,势必会造成前端信号输入波形与后端信号输入波形不同,即波形延迟现象,因为这些等效电阻和等效电容会产生RC延时常数,进而延迟信号的输入波形。
现有技术的一种解决方案是在于,在相关削角电路的输出端并联一只二极管至AVDD,利用二极管的单向导通特性来控制该削角电路的下限阈值电压,进而使近端和远程的馈通电压(FeedThrough Voltage)更为接近。但是,在实际的波形测量过程中,削角电路的下限并不是恒定的电压数值,因为在二极管导通时,AVDD至栅极驱动器的电流路径会受到该二极管单向导通特性的影响,这样一来,液晶面板的闪烁现象并不能得到较好的改善。
有鉴于此,如何设计一种新型的脉冲调制电路以产生合适的栅极驱动信号,是业内技术人员亟待解决的一项课题。
发明内容
针对现有技术中用于产生栅极驱动信号的脉冲调制电路在设计时所存在的上述缺陷,本发明提供了一种新型的脉冲调制电路。
依据本发明的一个方面,提供了一种脉冲调制电路,适用于产生栅极驱动信号,该脉冲调制电路包括:
输入单元,用于提供输入电压;
电压转换单元,包括:
第一晶体管,其栅极电性连接至该输入电压,其源极电性连接至第一阈值电压;
第二晶体管,其栅极通过反相器电性连接至该输入电压,其源极电性连接至该第一阈值电压;
第三晶体管,其栅极电性连接至该第二晶体管的漏极,其源极电性连接至该第一晶体管的漏极,其漏极电性连接至第二阈值电压;以及
第四晶体管,其栅极电性连接至该第一晶体管的漏极,其源极电性连接至该第二晶体管的漏极,其漏极电性连接至该第二阈值电压;
缓冲单元,具有一输入端和一输出端,该缓冲单元的输入端电性连接至该第一晶体管的漏极;以及
互补模块,包括一NMOS晶体管和一PMOS晶体管,NMOS晶体管和PMOS晶体管各自的栅极、漏极分别对应连接,并且NMOS晶体管的源极通过一调节电阻而电性连接至第一阈值电压,以及PMOS晶体管的源极电性连接至第二阈值电压。
优选地,缓冲单元包括第五晶体管和第六晶体管,其中,第五晶体管的栅极电性连接至缓冲单元的输入端以及第六晶体管的栅极,第五晶体管的漏极电性连接至缓冲单元的输出端以及第六晶体管的漏极,第五晶体管的源极接至第二阈值电压并且第六晶体管的源极接至第一阈值电压。此外,第五晶体管的栅极为低电平有效,并且第六晶体管的栅极为高电平有效。
优选地,该互补模块通过另一反相器电性连接至缓冲单元的输出端。
优选地,NMOS晶体管的漏极电性连接至PMOS晶体管的漏极和一栅极驱动器,以产生栅极驱动信号。在一实施例中,当来自输入单元的输入电压为低电平时,第二晶体管和第三晶体管导通且第一晶体管和第四晶体管截止,缓冲单元的输出端输出第一阈值电压。在另一实施例中,当来自输入单元的输入电压为高电平时,第一晶体管和第四晶体管导通且第二晶体管和第三晶体管截止,缓冲单元的输出端输出第二阈值电压。此外,脉冲调制电路还包括一电容,该电容的一端电性连接至NMOS晶体管和PMOS晶体管各自的漏极以及栅极驱动器,该电容的另一端接地。
采用本发明的脉冲调制电路,通过电压转换单元和缓冲单元对输入电压信号进行转换,可以确保互补模块中NMOS晶体管和PMOS晶体管正常工作,并解决驱动信号电流路径上因二极管单向导通而引发电压不稳定的问题。此外,将转换后的电压通过一调节电阻电性连接至预先设定的削角电路电压输出的下限,当PMOS晶体管打开时,可以经由PMOS晶体管充电至上限阈值电压,以及当NMOS晶体管打开时,经由NMOS晶体管和调节电阻放电以便削角至下限阈值电压。
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