[发明专利]一种脉冲调制电路无效
申请号: | 201010262802.1 | 申请日: | 2010-08-24 |
公开(公告)号: | CN101937639A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 叶启龙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 脉冲调制 电路 | ||
1.一种脉冲调制电路,适用于产生栅极驱动信号,所述脉冲调制电路包括:
输入单元,用于提供输入电压;
电压转换单元,包括:
第一晶体管,其栅极电性连接至所述输入电压,其源极电性连接至第一阈值电压;
第二晶体管,其栅极通过反相器电性连接至所述输入电压,其源极电性连接至所述第一阈值电压;
第三晶体管,其栅极电性连接至所述第二晶体管的漏极,其源极电性连接至所述第一晶体管的漏极,其漏极电性连接至第二阈值电压;以及
第四晶体管,其栅极电性连接至所述第一晶体管的漏极,其源极电性连接至所述第二晶体管的漏极,其漏极电性连接至所述第二阈值电压;
缓冲单元,具有一输入端和一输出端,所述输入端电性连接至所述第一晶体管的漏极;以及
互补模块,包括一NMOS晶体管和一PMOS晶体管,所述NMOS晶体管和PMOS晶体管各自的栅极、漏极分别对应连接,所述NMOS晶体管的源极通过一调节电阻而电性连接至所述第一阈值电压,以及所述PMOS晶体管的源极电性连接至所述第二阈值电压。
2.如权利要求1所述的脉冲调制电路,其特征在于,所述缓冲单元包括第五晶体管和第六晶体管,其中,所述第五晶体管的栅极电性连接至所述缓冲单元的输入端和所述第六晶体管的栅极,所述第五晶体管的漏极电性连接至所述缓冲单元的输出端和所述第六晶体管的漏极,并且所述第五晶体管的源极接至所述第二阈值电压以及所述第六晶体管的源极接至所述第一阈值电压。
3.如权利要求2所述的脉冲调制电路,其特征在于,所述第五晶体管的栅极为低电平有效,并且所述第六晶体管的栅极为高电平有效。
4.如权利要求1所述的脉冲调制电路,其特征在于,所述互补模块通过另一反相器电性连接至所述缓冲单元的输出端。
5.如权利要求1所述的脉冲调制电路,其特征在于,所述NMOS晶体管的漏极电性连接至所述PMOS晶体管的漏极和一栅极驱动器,以产生所述栅极驱动信号。
6.如权利要求5所述的脉冲调制电路,其特征在于,当来自所述输入单元的输入电压为低电平时,所述第二晶体管和第三晶体管导通且第一晶体管和第四晶体管截止,所述缓冲单元的输出端输出所述第一阈值电压。
7.如权利要求5所述的脉冲调制电路,其特征在于,当来自所述输入单元的输入电压为高电平时,所述第一晶体管和第四晶体管导通且第二晶体管和第三晶体管截止,所述缓冲单元的输出端输出所述第二阈值电压。
8.如权利要求5所述的脉冲调制电路,其特征在于,所述脉冲调制电路还包括一电容,所述电容的一端电性连接至所述NMOS晶体管和PMOS晶体管各自的漏极以及所述栅极驱动器,所述电容的另一端接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010262802.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可调高度的带洗手池的小便器
- 下一篇:排气式环保型坐便