[发明专利]电子器件用复合球的制造方法有效
| 申请号： | 201010259221.2 | 申请日： | 2010-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102376586A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 浅田贤 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社;株式会社新王材料 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 复合 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子器件用复合球的制造方法，其特征在于，准备由球体构成的核心球，接着以包围所述核心球的方式形成镀焊锡层来制成复合体，然后对所述镀焊锡层的表面进行平滑化加工。
2.根据权利要求1所述的电子器件用复合球的制造方法，其特征在于，所述平滑化加工是使所述镀焊锡层的表面与介质接触而进行的。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件用复合球的制造方法，其特征在于，所述平滑化加工是使所述复合体彼此接触而进行的。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件用复合球的制造方法，其特征在于，所述平滑化加工是在旋转槽内的液体中进行的。
5.根据权利要求4所述的电子器件用复合球的制造方法，其特征在于，所述液体是pH4～6的水溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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