[发明专利]真空镀膜件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010258943.6 申请日: 2010-08-20
公开(公告)号: CN102373412A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;张娟 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 真空镀膜 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种真空镀膜件,包括一基体及一形成于基体上的颜色层,其特征在于:该颜色层为一碳氧化钛铝层,该颜色层呈现的色度区于CIE LAB表色系统的L*坐标介于28至32之间,a*坐标介于-1至1之间,b*坐标介于-1至1之间。

2.如权利要求1所述的真空镀膜件,其特征在于:所述颜色层的厚度为0.3~1μm。

3.如权利要求1所述的真空镀膜件,其特征在于:该真空镀膜件还包括一形成于基体与颜色层之间的衬底层,该衬底层为一钛层。

4.如权利要求3所述的真空镀膜件,其特征在于:该衬底层的厚度为0.01~0.1μm。

5.如权利要求1所述的真空镀膜件,其特征在于:该基体的材质为金属、玻璃、陶瓷及塑料中的一种。

6.一种真空镀膜件的制造方法,包括以下步骤:

提供一基体;

使用一钛靶及一铝靶,通入流量为15~20sccm的氧气及流量为15~20sccm的乙炔气体,通过磁控溅射镀膜方法在基体上形成一颜色层,该颜色层为一TiAlOC层,其厚度为0.3~1μm,呈现的色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标介于28至32之间,a*坐标介于-1至1之间,b*坐标介于-1至1之间。

7.如权利要求6所述的真空镀膜件的制造方法,其特征在于:在形成该颜色层的过程中,对基体施加-50~-200V的偏压。

8.如权利要求7所述的真空镀膜件的制造方法,其特征在于:该颜色层的沉积时间为10~60min,该颜色层的厚度为0.3~1μm。

9.如权利要求6所述的真空镀膜件的制造方法,其特征在于:该真空镀膜件的制造方法还包括在形成颜色层前在基体上镀覆一钛衬底层的步骤。

10.如权利要求9所述的真空镀膜件的制造方法,其特征在于:形成该钛衬底层的工艺参数为:以钛靶及铝靶为靶材,设置钛靶与铝靶的电源功率为5~11kw,氩气的流量为10~200sccm,溅射温度为50~180℃,公转转速为1~4rpm,对基体施加的偏压为-50~-200V,沉积时间为3~10min。

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