[发明专利]在深沟槽肖特基二极管晶圆的深沟槽内淀积多晶硅的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种在深沟槽肖特基二极管晶圆的深沟槽内淀积多晶硅的方法。

背景技术

肖特基是一种典型的二极管结构，它相比普通的由P型和N型半导体组成的二极管结构，具有导通电压更低，反应速度更快，恢复时间更短的优点。

肖特基二极管产品是在晶圆上完成加工的，加工肖特基二极管产品的晶圆称为肖特基二极管晶圆，肖特基二极管晶圆表面有一层质量很好、符合特定要求的硅层，称为外延晶圆。

肖特基二极管产品有平面型和沟槽型两种不同的结构。

目前，生产沟槽型肖特基二极管产品的工艺流程包括：在外延晶圆上开沟槽(如图1所示，在外延晶圆上刻蚀出沟槽的晶圆示意图中，晶圆衬底101上有一层外延晶圆102，外延晶圆102上开了很多条沟槽103)；在沟槽内生长隔离氧化层；在沟槽内淀积未掺杂的多晶硅；以及后续的工艺步骤。

目前，在生产过程中发现，如果沟槽较深，如深度大于1微米，在后续的工艺步骤中，有可能导致晶圆翘曲严重(具体可以参见图2，从图2中可以看出：晶圆201上有淀积了未掺杂多晶硅的沟槽202，晶圆201已经发生严重翘曲)，致使光刻机无法进片，影响正常生产工艺，降低生产效率。

综上所述，现有技术的不足在于：

在沟槽较深时，有可能导致晶圆翘曲严重，致使光刻机无法进片，影响正常生产工艺，降低生产效率。

发明内容

本发明实施例提供一种在深沟槽肖特基二极管晶圆的深沟槽内淀积多晶硅的方法，用以解决现有技术中存在的在沟槽较深时，有可能导致晶圆翘曲严重，致使光刻机无法进片，影响正常生产工艺，降低生产效率的问题。

本发明实施例提供的一种在深沟槽肖特基二极管晶圆的深沟槽内淀积多晶硅的方法，包括：

将具有深沟槽的晶圆放入反应室；

在晶圆的深沟槽内淀积掺杂的多晶硅。

所述放入反应室的晶圆的深沟槽为空沟槽；

所述在晶圆的深沟槽内淀积掺杂的多晶硅包括：

同时向反应室通入化学源气体和掺杂源气体，通过化学气相沉积法在沟槽内淀积掺杂的多晶硅。

所述放入反应室的晶圆的深沟槽内已经淀积未掺杂的多晶硅；

所述在晶圆的深沟槽内淀积掺杂的多晶硅包括：

向反应室通入掺杂源气体，通过高温扩散法将杂质元素掺杂在未掺杂的多晶硅中，在深沟槽内淀积掺杂的多晶硅。

所述放入反应室的晶圆的深沟槽内已经淀积未掺杂的多晶硅；

所述在晶圆的深沟槽内淀积掺杂的多晶硅包括：

向反应室通入掺杂源气体，通过离子注入法将杂质离子注入未掺杂的多晶硅表层；

通过退火对杂质离子趋进，在深沟槽内淀积掺杂的多晶硅。

所述通过退火对杂质离子进行趋进之前，还包括：

将深沟槽内已注入杂质离子的晶圆放入另一反应室。

所述掺杂的多晶硅为掺杂N型杂质的多晶硅。

所述深沟槽的深度为大于1微米。

所述掺杂的多晶硅在8000A厚度时的方块电阻小于14欧姆/方块。

本发明实施例提供的另一种在深沟槽肖特基二极管晶圆的深沟槽内淀积多晶硅的方法，包括：

将具有深沟槽的晶圆放入反应室；

通入化学源气体，经过反应在深沟槽内淀积非晶硅；

通过退火使非晶硅转变成多晶硅。

所述通过退火使非晶硅转变成多晶硅之前还包括：

将深沟槽内淀积非晶硅的晶圆放入另一反应室。

由于本发明实施例将具有深沟槽的晶圆放入反应室；在晶圆的深沟槽内淀积掺杂的多晶硅。能够改变多晶硅的内部结构和应力，减小晶圆翘曲，从而可以使光刻机正常进片，保证生产工艺正常进行，提高生产效率。

附图说明

图1为背景技术中在外延晶圆上刻蚀出沟槽的部分截面示意图；

图2为背景技术中晶圆翘曲的截面示意图；

图3为本发明实施例在深沟槽内淀积未掺杂多晶硅后的应力示意图；

图4A为本发明实施例第一种在深沟槽内淀积多晶硅的方法示意图；

图4B为本发明实施例晶圆放置在反应室的示意图；

图4C为本发明实施例在深沟槽内淀积掺杂多晶硅后的应力示意图；

图5为本发明实施例第二种在深沟槽内淀积多晶硅的方法示意图；

图6为本发明实施例第三种在深沟槽内淀积多晶硅的方法示意图；

图7为本发明实施例第四种在深沟槽内淀积多晶硅的方法示意图；