[发明专利]在深沟槽肖特基二极管晶圆的深沟槽内淀积多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201010258080.2 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376568A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李天贺 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 槽肖特基 二极管 槽内淀积 多晶 方法 | ||
1.一种在深沟槽肖特基二极管晶圆的深沟槽内淀积多晶硅的方法，其特征在于，该方法包括：
将具有深沟槽的晶圆放入反应室；
在晶圆的深沟槽内淀积掺杂的多晶硅。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放入反应室的晶圆的深沟槽为空沟槽；
所述在晶圆的深沟槽内淀积掺杂的多晶硅包括：
同时向反应室通入化学源气体和掺杂源气体，通过化学气相沉积法在沟槽内淀积掺杂的多晶硅。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放入反应室的晶圆的深沟槽内已经淀积未掺杂的多晶硅；
所述在晶圆的深沟槽内淀积掺杂的多晶硅包括：
向反应室通入掺杂源气体，通过高温扩散法将杂质元素掺杂在未掺杂的多晶硅中，在深沟槽内淀积掺杂的多晶硅。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放入反应室的晶圆的深沟槽内已经淀积未掺杂的多晶硅；
所述在晶圆的深沟槽内淀积掺杂的多晶硅包括：
向反应室通入掺杂源气体，通过离子注入法将杂质离子注入未掺杂的多晶硅表层；
通过退火对杂质离子趋进，在深沟槽内淀积掺杂的多晶硅。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述通过退火对杂质离子进行趋进之前，还包括：
将深沟槽内已注入杂质离子的晶圆放入另一反应室。
6.如权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述掺杂的多晶硅为掺杂N型杂质的多晶硅。
7.如权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述深沟槽的深度为大于1微米。
8.如权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述掺杂的多晶硅在8000A厚度时的方块电阻小于14欧姆/方块。
9.一种在深沟槽肖特基二极管晶圆的深沟槽内淀积多晶硅的方法，其特征在于，该方法包括：
将具有深沟槽的晶圆放入反应室；
通入化学源气体，经过反应在深沟槽内淀积非晶硅；
通过退火使非晶硅转变成多晶硅。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述通过退火使非晶硅转变成多晶硅之前还包括：
将深沟槽内淀积非晶硅的晶圆放入另一反应室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
