[发明专利]透明电极一体型封装模块及其制造方法

权利要求书

1.一种不单独设置触摸屏电路的用于形成电极的玻璃基板而在封装玻璃基板上的一面形成透明电极的透明电极一体型封装模块。

2.根据权利要求1所述的透明电极一体型封装模块，其特征在于：所述封装玻璃基板是厚度介于0.05至0.5mm范围之内的超薄型轻量化产品，且在硝酸钾(KNO₃)熔融液中在380℃至450℃温度环境下实施强化处理，而形成于所述封装玻璃基板上的透明电极是在150℃至250℃温度环境下沉积而成。

3.一种透明电极一体型封装模块的制造方法，其特征在于：包括将封装玻璃基板加工成厚度介于0.05至0.5mm范围之内的超薄型轻量化产品的步骤以及在所述超薄型封装玻璃基板上形成透明电极电路的步骤。

4.根据权利要求3所述的透明电极一体型封装模块的制造方法，其特征在于：进一步包括对于所述超薄型封装玻璃基板进行轻量化处理的步骤之后在玻璃基板表面形成空腔(Cavity)的步骤。

5.根据权利要求3所述的透明电极一体型封装模块的制造方法，其特征在于：进一步包括实施轻量化步骤之后采用化学方法强化所述超薄型封装玻璃基板的步骤。

6.根据权利要求4所述的透明电极一体型封装模块的制造方法，其特征在于：进一步包括实施形成空腔的步骤之后采用化学方法强化所述超薄型封装玻璃基板的步骤。

7.根据权利要求5或者6所述的透明电极一体型封装模块的制造方法，其特征在于：对于所述超薄型封装玻璃基板实施强化处理时，在硝酸钾(KNO₃)熔融液中以380℃至450℃的温度实施热处理。

8.根据权利要求7所述的透明电极一体型封装模块的制造方法，其特征在于：在所述超薄型强化封装玻璃基板上形成透明电极的步骤是在150℃至250℃的低温实施的IPVD工序。

9.根据权利要求7所述的透明电极一体型封装模块的制造方法，其特征在于：在所述超薄型强化封装玻璃基板上形成透明电极的步骤是在常温至150℃的温度环境下涂敷透明电极物质并局部照射激光而实施结晶化的步骤。