[发明专利]半导体封装件

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件，且特别是有关于一种以封胶材料填充于半导体组件与基板之间的半导体封装件。

背景技术

请参照图1(现有技术)，其绘示传统半导体封装件的剖视图。半导体封装件10包括基板12、覆晶(flip chip)14及底胶(underfill)20。底胶20填充于覆晶14与基板12之间，以固定覆晶14的焊球18，使覆晶14稳固地结合于基板12上。

然而，由于底胶20只接触覆晶14的底面16，因此覆晶14与基板12之间的结合度无法更进一步地提升。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件，其半导体组件与基板之间填充有封胶(molding compound)，封胶的强度较强，可增加半导体组件与基板之间的结合性。

根据本发明的第一方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体组件、数个组件接点、封胶及数个基板接点。基板具有相对的一第一表面与一第二表面。半导体组件设于第一表面。组件接点电性连接基板与半导体组件。封胶包覆半导体组件且封胶的一部分位于半导体组件与第一表面之间，其中封胶包括数个填充粒(filler)，该些填充粒占封胶的比例介于85％至89％之间且填充粒的尺寸介于18微米(μm)至23μm之间。基板接点形成于第二表面。

根据本发明的第二方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体组件、数个组件接点、一封胶及数个基板接点。基板具有相对的一第一表面与一第二表面。半导体组件设于第一表面。组件接点电性连接基板与半导体组件。封胶包覆半导体组件且封胶的一部分位于半导体组件与第一表面之间，其中封胶的低温热膨胀系数介于8至10之间。基板接点形成于第二表面。

根据本发明的第三方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体组件、数个组件接点、一封胶及数个基板接点。基板具有相对的一第一表面与一第二表面。半导体组件设于第一表面。组件接点电性连接基板与半导体组件。封胶直接接触并包覆半导体组件以及组件接点，其中封胶包括数个填充粒，填充粒占封胶的比例介于85％至89％之间且填充粒的尺寸介于18μm至23μm之间。基板接点形成于第二表面。

根据本发明的第四方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体组件、数个组件接点、一封胶及数个基板接点。基板具有相对的一第一表面与一第二表面。半导体组件设于第一表面。组件接点电性连接基板与半导体组件。封胶直接接触并包覆半导体组件以及组件接点，其中封胶的低温热膨胀系数介于8至10之间。基板接点形成于第二表面。

为了对本发明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示传统半导体封装件的剖视图。

图2绘示依照本发明较佳实施例的半导体封装件的剖视图。

主要组件符号说明

10、100：半导体封装件

12、102：基板

14：覆晶

16、116：底面

18：焊球

20：底胶

104：半导体组件

106：组件接点

108：封胶

108a：一部分

110：基板接点

112：上表面

114：侧面

118：第一表面

120：填充粒

122：树脂

124：第二表面

具体实施方式

请参照图2，其绘示依照本发明较佳实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100例如是覆晶晶粒尺寸级封装(Flip Chip CSP)。半导体封装件100包括基板102、半导体组件104、数个组件接点106、封胶108及数个基板接点110。

基板102具有相对的第一表面118与第二表面124。半导体组件104例如是覆晶(flip chip)，其设于第一表面118上。基板接点110例如是焊球(solder ball)、导电柱(conductive pillar)或凸块(bump)，其形成于基板102的第二表面124，用以电性连接一外部电路(未绘示)与半导体封装件100。

组件接点106例如是焊球、凸块或铜柱(copper pillar)，其设于基板102与半导体组件104之间以电性连接基板102与半导体组件104。