[发明专利]半导体器件及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

半导体基板，在该半导体基板中，在沟道形成区域中埋置有沿沟道方向具有第一宽度的SiGe层；

栅极绝缘膜，它形成在所述沟道形成区域上；

栅极电极，它形成在所述栅极绝缘膜上并具有从所述SiGe层的形成区域伸出的区域，所述栅极电极具有比所述第一宽度宽的第二宽度；以及

源极/漏极区域，它们具有形成在夹着所述沟道形成区域的所述半导体基板上的延伸区域；

由此形成了场效应晶体管，

其中，所述延伸区域与所述SiGe层是分离的，使得从所述延伸区域与所述半导体基板之间的接合面延伸的耗尽层不会到达所述SiGe层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述延伸区域具有进入到所述栅极电极下方的重叠区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，包括这样一个区域：在该区域中，随着从所述半导体基板表面算起的深度加深，所述SiGe层的沿沟道方向的宽度变宽。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述SiGe层中，Ge浓度从所述SiGe层的位于所述源极/漏极区域侧的端部向所述SiGe层的中央方向增大。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述SiGe层中，包括由所述SiGe层的上表面从所述半导体基板表面伸出而得到的凸部，并且Ge浓度从所述SiGe层的埋置在所述半导体基板中的部分朝所述凸部的方向增大。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述源极/漏极区域的表层部分处埋置有源极/漏极用SiGe层。

7.一种半导体器件制造方法，其包括以下步骤：

在包括沟道形成区域的半导体基板上形成伪栅极绝缘膜和伪栅极电极；

在所述伪栅极电极的两侧形成偏移间隔部；

通过将所述偏移间隔部和所述伪栅极电极作为掩模，在所述半导体基板上形成延伸区域；

在所述偏移间隔部的两侧形成侧壁间隔部；

通过将所述侧壁间隔部、所述偏移间隔部以及所述伪栅极电极用作掩模，在所述半导体基板上形成源极/漏极区域；

形成覆盖所述伪栅极电极的绝缘膜；

移除所述绝缘膜，直至所述伪栅极电极从所述绝缘膜的上表面露出为止；

通过除去所述伪栅极电极和所述伪栅极绝缘膜，形成栅极电极用凹槽；

在所述半导体基板的位于所述栅极电极用凹槽的底部处的表面上形成SiGe层埋置用凹部；

在所述SiGe层埋置用凹部中形成沿沟道方向具有第一宽度的SiGe层；

除去所述偏移间隔部；

在除去了所述偏移间隔部的所述栅极电极用凹槽的底部处的所述SiGe层上形成栅极绝缘膜；以及

以填充所述栅极电极用凹槽的方式，在所述栅极绝缘膜上形成具有比所述第一宽度宽的第二宽度的栅极电极，

由这些步骤形成了场效应晶体管，

其中在形成所述SiGe层的步骤中，所述延伸区域与所述SiGe层被形成得是彼此分离的，使得从所述延伸区域与所述半导体基板之间的接合面延伸的耗尽层不会到达所述SiGe层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制造方法，其中，在形成所述SiGe层埋置用凹部的步骤中，是利用所述偏移间隔部作为掩模在所述偏移间隔部之间的区域处形成所述SiGe层埋置用凹部的。

9.根据权利要求7所述的半导体器件制造方法，其中，

在形成所述SiGe层埋置用凹部的步骤之前，已除去了所述偏移间隔部；

在形成所述SiGe层埋置用凹部的步骤中，是利用所述侧壁间隔部作为掩模在所述侧壁间隔部之间的区域处形成所述SiGe层埋置用凹部的；并且

在形成所述SiGe层的步骤中，是在所述SiGe层埋置用凹部的内壁处生长了具有规定厚度的Si层之后，形成沿所述沟道方向具有所述第一宽度的所述SiGe层的。

10.根据权利要求7所述的半导体器件制造方法，其中，在形成所述延伸区域的步骤中，将所述延伸区域形成得包括进入到所述栅极电极下方的重叠区域。