[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的制作通常是先在一个树脂或塑料的基板上形成电路结构，然后将发光二极管晶粒固定于基板上并与电路结构电性连接，最后形成封装层覆盖发光二极管晶粒并切割形成多个组件。

然而，随着当今发光二极管越来越薄型化的趋势，使得承载发光二极管晶粒的基板也越来越薄。但是由于薄型基板厚度的减少，使得基板的刚性降低导致基板弯曲，进而导致基板不平整以及制造良率下降的缺失。因此，如何提供一种克服以上缺点的发光二极管封装结构及其基板的制造方法是业界需要解决的一个课题。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种加强基板刚度的发光二极管封装结构及其基板的制造方法。

一种发光二极管封装结构制造方法，其步骤包括：

第一步骤，提供一基板，该基板具有一第一表面和相对的第二表面；

第二步骤，设置电路结构于基板上，且该电路结构从第一表面延伸至第二表面；

第三步骤，设置支撑结构于基板上；

第四步骤，设置若干发光二极管晶粒于基板上，并与电路结构形成电连接；

第五步骤，设置封装层覆盖发光二极管晶粒。

一种发光二极管封装结构，包括基板，设置于基板上的电路结构，设置于基板上并与电路结构电连接的发光二极管晶粒，设置于基板上并覆盖发光二极管晶粒的封装层，及设置于基板上的支持结构。

与现有技术相比，本发明利用在基板上形成支撑结构，以吸收基板张力或应力，同时增加基板结构的刚性，避免基板发生形变，从而减少基板不平整以及良率下降等问题。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法的流程图。

图2为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法各步骤所得的发光二极管封装结构剖面示意图。

图3为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法第二步骤所得的发光二极管封装结构俯视图。

图4为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法第三步骤所得的发光二极管封装结构俯视图。

图5为本发明另一实施例的发光二极管封装结构制造方法第三步骤所得的发光二极管封装结构俯视图。

图6为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法第四步骤所得的发光二极管封装结构俯视图。主要元件符号说明

基板            10

第一表面        11

第二表面        12

孔洞            13

电路结构        20

主要作业区      21

非主要作业区    22

支撑结构        30

主干支撑        31

外围支撑        32

延伸支撑            33

发光二极管晶粒      40

封装层              50

具体实施方式

图1示出了本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法的流程。该发光二极管封装结构制造方法大致包括如下流程：

第一步骤，提供一基板10，该基板10具有第一表面11和第二表面12；

第二步骤，设置电路结构20于基板10上；

第三步骤，设置支撑结构30于基板10上；

第四步骤，设置若干发光二极管晶粒40于基板10上，并与电路结构20形成电连接；

第五步骤，设置封装层50于基板10上并覆盖发光二极管晶粒40。

下面结合其他图示对该流程作详细说明。请同时参考图2和图3，首先，如步骤102所示，提供一基板10。该基板10呈平板状，包括第一表面11和相对的第二表面12。该基板10上设有多个主要作业区21和非主要作业区22，其中，非主要作业区22将各个主要作业区21互相隔离。本实施例中每一主要作业区21的四周均设有非主要作业区22，在其他实施例中，非主要作业区22可以仅分布在各主要作业区21之间。该基板10的材料可以是树脂或塑料。