[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010254496.7 | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102376844A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张超雄;张洁玲;林升柏 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
第一步骤，提供一基板，该基板具有一第一表面和相对的第二表面；
第二步骤，设置电路结构于基板上，且该电路结构从第一表面延伸至第二表面；
第三步骤，设置支撑结构于基板上；
第四步骤，设置若干发光二极管晶粒于基板上，并与电路结构形成电连接；
第五步骤，设置封装层覆盖发光二极管晶粒。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板包括若干主要作业区和若干非主要作业区，且非主要作业区将各个主要作业区互相隔离，所述电路结构设置于基板的主要作业区内。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构包括设置于非主要作业区内并位于主要作业区之间的主干支撑。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构还包括从主要作业区延伸至非主要作业区的延伸支撑，所述延伸支撑与主干支撑互相交错设置。
5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构还包括设置在基板外围的外围支撑。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述主干支撑和外围支撑相互连接或彼此分离。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构设置于第一表面或第二表面中的一面，或同时设置于第一表面和第二表面。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构采用金属材料，利用蒸镀、溅镀或电镀工艺制成，并与设置电路结构同步完成。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构采用树脂或塑料材料，并利用印刷或网印工艺制成。
10.一种发光二极管封装结构，其特征在于包括基板，设置于基板上的电路结构，设置于基板上并与电路结构电连接的发光二极管晶粒，设置于基板上并覆盖发光二极管晶粒的封装层，及设置于基板上的支持结构，且该发光二极管封装结构由权利要求1至9项中任意一项所述的方法制成。
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