[发明专利]一种半导体光电器件的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体光电器件的制备方法，属于半导体器件制备领域。

背景技术

由于半导体材料制备技术的突破，特别是随着纳米尺寸的半导体晶体外延制备技术的突破，半导体材料的质量、性能都有了重大突破，使得其在光电器件方面的应用越来越多。太阳能方面的专利如：申请号为200780048752的活性区域带有具有能量阱的纳米结构的太阳能电池、桑迪奥德公司的詹姆斯.C.金等于2007年申请，涉及的是一种用于具有渐变能量阱的太阳能电池的方法及设备。所述太阳能电池的活性区域包含纳米结构。所述纳米结构由包含Ⅲ-Ⅴ化合物半导体及改变所述Ⅲ-Ⅴ化合物半导体的带隙的元素的材料形成。不过这个专利主要是活性区域本身的结构是纳米的，没有涉及整个器件结构是否为同质结、异质结纳米结构，也没有提及对衬底要求。另一项专利：北京理工大学姜澜等2009年申请的专利申请号为200910082827的一种氮化镓太阳能同位素复合型微电池及其制作方法，是关于一种氮化镓太阳能同位素复合型微电池及其制作方法。本发明的制作方法首先在基底的一侧镀制一层光学增透膜，然后在基底另一侧利用金属有机物化学气象沉淀工艺，依次生长两个背靠背PN结，最后在P N结外侧固定同位素放射层。没有涉及整个器件结构是否为同质结、异质结纳米结构，也没有提及对衬底要求。还有专利如：专利号为200510048197的一种高纯度氮化镓纳米线的制备方法和专利号为200510048111的一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法，由太原理工大学许并社等于2005年分别申请，发明都是为一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法，没有涉及整个器件结构是否为同质结、异质结纳米结构，也没有提及对衬底要求。专利号的200710173110的采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法，涉及了一种利用干法刻蚀氮化镓纳米线阵列的方法，其特征在于采用了金属Ni纳米粒子点阵作为掩膜，而Ni纳米粒子点阵是通过阳极氧化铝来制作的。所制作的GaN纳米线阵列也适合于如LED或LD光电器件的制作。其专利的器件结构为纳米结构，但是也没有提及对衬底要求。而且没有异质结或者同质结的专利要求。专利号为200710062978的单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法，是关于一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；和一非有意掺杂氮化镓缓冲层，减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；没有涉及整个器件结构是否为同质结、异质结纳米结构，也没有提及对衬底要求。专利号为200780016946的GAN纳米线的脉冲式生长及在族Ⅲ氮化物半导体衬底材料中的应用和器件，涉及GAN纳米线的脉冲式生长及在族Ⅲ氮化物半导体衬底材料中的应用和器件。典型实施例提供包含高质量(也即无缺陷)的族Ⅲ-N纳米线的半导体器件和一致的族Ⅲ-N纳米线阵列以及其可定标的制造过程，其中每个纳米线的位置、取向、截面特征、长度和结晶度可以精确地被控制。可以使用脉冲式生长模式来制造所公开的族Ⅲ-N纳米线和/或纳米阵列。但是没有提及对衬底要求。而且没有异质结或者同质结的专利要求。中山大学任山等专利号的200610035749的多层结构纳米线阵列及其制备方法，所述的纳米线结构为金属/半导体或半导体/半导体相互交替排列的多层纳米线，没有提及衬底要求。中山大学杨国伟2007年申请的专利号为200710027353的一种异质p-n结纳米线阵列及其制备方法和应用，发明了一种在高温高压环境中利用脉冲激光沉积技术制备异质p-n结纳米线阵列及其制备方法，没有提及衬底要求。2002年陈兴的专利号为02118371的纳米线发光元件及显示装置，此发明将半导体材料制作成纳米单晶线或纳米单晶柱，将纳米线成长在透明导电基板(或镀有透明导电膜的玻璃基板)上并制作成P、N介面的结构，没有提及衬底要求。2008年北京师范大学的彭奎庆的专利号为200810088803的一种硅纳米线太阳能电池装置公开了在n型有机物半导体薄膜层和P型硅基底层之间含有p型纳米硅线阵列层的太阳能转换装置，没有提及衬底要求。武汉大学方国家2006申请的申请号为CN200610124505.4的一种n-硅纳米线/p-导电有机物异质pn结二极管及其制备方法，以及申请号为CN200610019782.9的一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法，以及申请号为CN200610019781.4一种硅纳米线同质pn结二极管及其制备方法等专利，提及了在硅片制备具有硅纳米线的同质异质结，不过没有提及衬底要求。

发明内容

本发明为了克服现有技术的缺点，提供一种半导体光电器件的制备方法。

本发明可以通过采取以下技术方案予以实现：