[发明专利]一种半导体光电器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)、选择一种衬底(1)；

2)、用外延、结晶、溅射、蒸镀、旋涂、粘结、焊接、键合、化学腐蚀或刻蚀的方法在衬底(1)上制得半导体同质结或异质结(2)；

3)、在半导体同质结或异质结的顶端或底端生成有电极(3)，使衬底、半导体同质结或异质结(2)与电极(3)构成整个半导体器件。

2.根据权利要求1所述的一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于所述衬底(1)表面镀有导电层或电介质层(4)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于所述衬底(1)采用单晶、多晶、非晶、多层薄膜或多层结结构，且每层薄膜或者结的厚度为0.1纳米到100微米。

4.根据权利要求3所述的一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于所述的衬底(1)是半导体同质结或异质结是渐变结或突变结。

5.根据权利要求4所述的一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于所述衬底(1)是SiC、石墨、金刚石、蓝宝石、LiNoO₂、CuInSe₂、AlN、GaN、InN、GaInN、GaAlN、GaAIInN、AlInP、GaAlInP、GaInP、InP、GaP、GaNP，InNP，InAlAsN，AlP、GaAs、InGaAsN、GaAsN，InAsN，InGaAs、InGaAsP、AlGaP、AlAs、CdSe、ZnS、MgO、ZnO、Si、Ge、BeSeTe，BeMgS，BeMgSeS，ZnTeSeS，MgTeSeS，MgSe或MgTe中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于所述半导体同质结或异质结(2)采用轴向结构或同轴结构的纳米线、纳米柱、纳米棒、纳米管或管状阵列、棒状阵列，线状阵列，所述线状阵列之间的间距是1纳米～1厘米，线状阵列的长度是1纳米～10厘米，直径是1纳米～200厘米，纳米线中的结的厚度从0.1纳米到100微米。

7.根据权利要求6所述的一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于所述半导体同质结或异质结(2)之间存在有机填充物、电介质膜或金属膜。

8.根据权利要求7所述的一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于所述半导体同质结或异质结(2)是SiC、石墨、金刚石、蓝宝石、LiNoO₂、CuInSe₂、AlN、GaN、InN、GaInN、GaAlN、GaAlInN、AlInP、GaAlInP、GaInP、InP、GaP、GaNP，InNP，InAlAsN，AlP、GaAs、InGaAsN、GaAsN，InAsN，InGaAs、InGaAsP、AlGaP、AlAs、CdSe、ZnS、MgO、ZnO、Si、Ge、BeSeTe，BeMgS，BeMgSeS，ZnTeSeS，MgTeSeS，MgSe或MgTe中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于所述电极(3)为透明金属膜、透明半导体材料，或半导体材料和金属膜的多层结构中的一种或几种。

10.根据权利要求9所述的一种半导体光电器件的制备方法，其特征在于所述电极(3)是金属、GaN、ZnO、MgO、SnO2:F或ITO中的一种或几种。