[发明专利]电光学装置、电子设备、电光学装置的制造方法无效
申请号: | 201010251409.2 | 申请日: | 2010-08-10 |
公开(公告)号: | CN101997023A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 行田幸三 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 装置 电子设备 制造 方法 | ||
1.一种电光学装置,其特征在于,包括:
电光学面板、
安装在所述电光学面板的端子部的驱动用半导体芯片、和
至少一方透明的两张保护薄膜,
所述电光学面板夹在所述两张保护薄膜中间而被密封,
在所述两张保护薄膜之中覆盖所述端子部的保护薄膜上,设有使所述驱动用半导体芯片露出的开口部。
2.根据权利要求1所述的电光学装置,其特征在于,所述电光学面板和所述驱动用半导体芯片具有挠性。
3.根据权利要求1或2所述的电光学装置,其特征在于,
所述开口部以包围所述驱动用半导体芯片的大小设置在所述保护薄膜上,
在所述开口部的内壁和所述驱动用半导体芯片的侧壁之间,填充着将所述驱动用半导体芯片的有源面侧密封的模压材料。
4.根据权利要求3所述的电光学装置,其特征在于,所述模压材料使用固化后具有弹性的树脂材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电光学装置,其特征在于,
所述电光学面板具有一对基板,
所述一对基板之中一个基板为具有所述端子部的玻璃基板,
设有所述开口部的所述保护薄膜被配置成:所述开口部的边缘部的毛边相对于所述端子部朝向相反侧。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电光学装置,其特征在于,以将在所述开口部露出的所述驱动用半导体芯片的至少一部分表面覆盖的方式设有散热构件。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电光学装置,其特征在于,所述电光学面板为具有有机EL元件的有机EL面板。
8.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1至7中任一项所述的电光学装置。
9.一种电光学装置的制造方法,是具有夹在至少一方透明的两张保护薄膜中的电光学面板的电光学装置的制造方法,其特征在于,包括:
密封工序,用具有在与所述电光学面板的端子部相对应的位置开口的开口部的一个保护薄膜和另一保护薄膜夹住所述电光学面板,对其进行密封;和
安装工序,将驱动用半导体芯片安装在于所述开口部内露出的所述端子部。
10.根据权利要求9所述的电光学装置的制造方法,其特征在于,
所述开口部以包围所述驱动用半导体芯片的大小设置在所述一个保护薄膜上,
所述电光学装置的制造方法具有模压工序,在所述开口部的内壁和所安装的所述驱动用半导体芯片的侧壁之间,涂敷将所述驱动用半导体芯片的有源面侧密封的模压材料,并使之固化。
11.根据权利要求10所述的电光学装置的制造方法,其特征在于,所述模压材料可使用固化后具有弹性的树脂材料。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的电光学装置的制造方法,其特征在于,包括对所安装的所述驱动用半导体芯片进行干蚀刻,使所述驱动用半导体芯片的厚度变薄的工序。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的电光学装置的制造方法,其特征在于,包括以将所安装的所述驱动用半导体芯片的至少一部分表面覆盖的方式配置散热构件的工序。
14.一种电光学装置的制造方法,其特征在于,包括:
安装工序,将驱动用半导体芯片安装在电光学面板的端子部;
干蚀刻工序,对所安装的所述驱动用半导体芯片进行干蚀刻,使所述驱动用半导体芯片的厚度变薄;和
密封工序,用至少一方透明的两张保护薄膜夹住具有被变薄了的所述驱动用半导体芯片的所述电光学面板,对其进行密封。
15.根据权利要求14所述的电光学装置的制造方法,其特征在于,
所述电光学面板具有挠性,
所述干蚀刻工序使所述驱动用半导体芯片的厚度变薄至5μm至50μm。
16.根据权利要求14或15所述的电光学装置的制造方法,其特征在于,所述密封工序,将散热构件夹在所安装的所述驱动用半导体芯片和所述保护薄膜之间,对其进行密封。
17.根据权利要求9至16中任一项所述的电光学装置的制造方法,其特征在于,所述电光学面板为具有有机EL元件的有机EL面板。
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