[发明专利]监控位线电压的监控电路及监控方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，具体涉及一种在存储器中用于监控位线电压的监控电路及监控方法。

背景技术

在存储器(尤其是闪存)中，在某些情况下会需要对位线电压进行监控。图1示出了现有技术中的用于对闪存中的位线电压进行监控的电路。如图1所示，电路包括栅极相互连接的两个PMOS晶体管(源极均连接至电源电压VDD的第一PMOS晶体管M1和第二PMOS晶体管M2)、运放电路op、依次串联的五个NMOS晶体管(第一NMOS晶体管MN1、第二NMOS晶体管MN2、第三NMOS晶体管MN3以及第四NMOS晶体管MN4、存储单元MEM)、输入端与第二PMOS晶体管M2的漏极相连的反相器D。

其中，运放电路op可选用公知的运算放大器电路，并且其中，当运放电路op的反向输入端(-)的电压大于运放电路op的正向输入端(+)的电压时，运放电路op输出高电平；反之，当运放电路op的反向输入端的电压小于正向输入端的电压时，运放电路op输出低电平。参考电压信号vref(参考电压信号vref例如可由参考电压源所提供)被输入至运放电路op的反向输入端，运放电路op的正向输入端连接至第一NMOS晶体管MN1的源极并同时连接至第二NMOS晶体管MN2的漏极。运放电路op的输出端连接至第一NMOS晶体管MN1的栅极。存储单元MEM的栅极接存储器的字线WL，漏极接存储器的位线BL，且源极接地。此外，反相器D的输入端还连接至参考电流信号Iref，其中参考电流信号Iref例如由参考电流源所提供。

为了监控位线电压，提供了经由切换电路S(例如开关)连接至运放电路op的正向输入端的端口TM0。控制信号TMVON对切换电路S进行控制，例如当控制信号TMVON为高电平或者低电平时，电路进入监控BL电压的测试模式以监控位线电压。

当没有电流流经存储单元MEM时，端口TM0可很好地监测BL电压。然而，当有电流流经存储单元MEM时，则会出现不匹配的问题。造成该不匹配的原因是由于位线BL上会有电流，而在位线BL选择路径上会有电压降(第二NMOS晶体管MN2、第三NMOS晶体管MN3以及第四NMOS晶体管MN4导通)，从而造成TM0的电压和BL上电压不匹配，从而使得端口TM0所测得到电压不准。

现有技术中采用了例如高阻抗有源探头或者纳米探头之类的方案来解决上述技术问题，但是这样的方案造成了极大的测试成本。因此，希望能够提出一种即能够解决位线与测试端口之间的不匹配问题又不会产生测试成本的简单的解决方案。

发明内容

为了提供一种即能够解决位线与测试端口之间的不匹配问题又不会产生测试成本的用于监控位线电压的监控电路，根据本发明的一个方面，提供了一种用于监控位线电压的监控电路包括：第一监测支路，用于在没有电流流经存储单元时对存储器位线上的电压进行监控；以及第二监测支路，用于在有电流流经存储单元时对存储器位线上的电压进行监控。

通过提供两条支路来分别在没有电流流经存储单元时以及在有电流流经存储单元时对存储器位线上的电压进行监控，该监控电路即能够解决位线与测试端口之间的不匹配问题又不会产生测试成本。

在上述用于监控位线电压的监控电路中，第一监测支路中包括存储单元，并且第二监测支路对第一监测支路中存储器位线上的电压进行镜像。

在上述用于监控位线电压的监控电路中，，所述第一监测支路包括：源极相互连接的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，并且第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极连接至电源电压；第一运放电路，其中第一运放电路的反向输入端连接参考电压信号，第一运放电路的正向输入端连接至第一NMOS晶体管的源极；串联的第一NMOS晶体管、存储单元；第一切换电路；以及通过第一切换电路连接至第一运放电路的正向输入端的第一端口。

在上述用于监控位线电压的监控电路中，所述第二监测支路包括：源极连接至电源电压的第三PMOS晶体管，其中第三PMOS晶体管的栅极与漏极互连；第五NMOS晶体管，其漏极连接至第三PMOS晶体管的漏极；输出端连接至第五NMOS晶体管的栅极的第二运放电路，并且第二运放电路的反向输入端连接至参考电压信号，第二运放电路的正向输入端连接至第五NMOS晶体管的源极；栅极相互连接的第九NMOS晶体管以及第十NMOS晶体管，其中第九NMOS晶体管以及第十NMOS晶体管的源极均接地，以及第十NMOS晶体管与第五NMOS晶体管串联，第九NMOS晶体管的漏极与第九NMOS晶体管的栅极互连并且连接至第二PMOS晶体管的漏极。