[发明专利]监控位线电压的监控电路及监控方法

权利要求书

1.一种用于监控位线电压的监控电路，包括：

第一监测支路，用于在没有电流流经存储单元时对存储器位线上的电压进行监控；以及

第二监测支路，用于在有电流流经存储单元时对存储器位线上的电压进行监控。

2.根据权利要求1所述的监控电路，其特征在于，第一监测支路中包括存储单元，并且第二监测支路对第一监测支路中存储器位线上的电压进行镜像。

3.根据权利要求1所述的监控电路，其特征在于，所述第一监测支路包括：源极相互连接的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，并且第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极连接至电源电压；

第一运放电路，其中第一运放电路的反向输入端连接参考电压信号，第一运放电路的正向输入端连接至第一NMOS晶体管的源极；

串联的第一NMOS晶体管、存储单元；

第一切换电路；以及

通过第一切换电路连接至第一运放电路的正向输入端的第一端口。

4.根据权利要求1或3所述的监控电路，其特征在于，所述第二监测支路包括：源极连接至电源电压的第三PMOS晶体管，其中第三PMOS晶体管的栅极与漏极互连；

第五NMOS晶体管，其漏极连接至第三PMOS晶体管的漏极；

输出端连接至第五NMOS晶体管的栅极的第二运放电路，并且第二运放电路的反向输入端连接至参考电压信号，第二运放电路的正向输入端连接至第五NMOS晶体管的源极；

栅极相互连接的第九NMOS晶体管以及第十NMOS晶体管，其中第九NMOS晶体管以及第十NMOS晶体管的源极均接地，以及第十NMOS晶体管与第五NMOS晶体管串联，第九NMOS晶体管的漏极与第九NMOS晶体管的栅极互连并且连接至第二PMOS晶体管的漏极。

5.根据权利要求4所述的监控电路，其特征在于，

在第一NMOS晶体管和存储单元之间布置第一路径选择电路，并且第五NMOS晶体管和第十NMOS晶体管之间布置第二路径选择电路，其中第一路径选择电路与第二路径选择电路具有相同的结构。

6.根据权利要求5所述的监控电路，其特征在于，

第一路径选择电路包括依次串联的第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管以及第四NMOS晶体管；

第二路径选择电路包括依次串联的第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管以及第八NMOS晶体管；并且

其中，第二NMOS晶体管的栅极连接至第六NMOS晶体管的栅极，第三NMOS晶体管的栅极连接至第七NMOS晶体管的栅极，第四NMOS晶体管的栅极连接至第八NMOS晶体管的栅极。

7.一种用于监控位线电压的监控方法，包括：

布置第一监测支路，用于在没有电流流经存储单元时对存储器位线上的电压进行监控；以及

布置第二监测支路，用于在有电流流经存储单元时对存储器位线上的电压进行监控。

8.根据权利要求7所述的监控方法，其特征在于，所述方法还包括：

在第一监测支路中布置存储单元，并且利用第二监测支路来对第一监测支路中存储器位线上的电压进行镜像。

9.根据权利要求7或8所述的监控方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第一监测支路中布置：

源极相互连接的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，并且第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极连接至电源电压；

第一运放电路，其中第一运放电路的反向输入端连接参考电压信号，第一运放电路的正向输入端连接至第一NMOS晶体管的源极；

串联的第一NMOS晶体管、存储单元；

第一切换电路；以及

通过第一切换电路连接至第一运放电路的正向输入端的第一端口。

10.根据权利要求7或8所述的监控方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第二监测支路中布置：

源极连接至电源电压的第三PMOS晶体管，其中第三PMOS晶体管的栅极与漏极互连；

第五NMOS晶体管，其漏极连接至第三PMOS晶体管的漏极；

输出端连接至第五NMOS晶体管的栅极的第二运放电路，并且第二运放电路的反向输入端连接至参考电压信号，第二运放电路的正向输入端连接至第五NMOS晶体管的源极；

栅极相互连接的第九NMOS晶体管以及第十NMOS晶体管，其中第九NMOS晶体管以及第十NMOS晶体管的源极均接地，以及第十NMOS晶体管与第五NMOS晶体管串联，第九NMOS晶体管的漏极与第九NMOS晶体管的栅极互连并且连接至第二PMOS晶体管的漏极。