[发明专利]负电压斜率控制电路

说明书

技术领域

本发明关于一种负电压斜率控制电路，特别是关于一种用于对非易失性存储器的擦除电压进行斜率控制的负电压斜率控制电路。 

背景技术

半导体存储器可被分为易失性存储器和非易失性存储器。电可擦除/可编程非易失性存储器(EEPROM)是非易失性存储器的一种，它的特点是在没有电源的情况下数据仍然能保持，并在需要时可以擦除和修改数据，而要擦除一个EEPROM单元，常常需要把一个负电压加到其控制栅上(擦除电压)。因此，要想擦写准确，就需要对该负电压斜率进行有效控制。 

现有技术请参考美国专利US5168174(Negative-Voltage Charge Pump WithFeedback Control)，其公开了一种负电压斜率控制电路。图1a为现有技术的负电压斜率控制电路的电路图，图1b为图1a中斜率参考电压发生器的电路示意图，图1c为图1b的斜率参考电压发生器的时序图。如图1a所示，当使能信号En为低时，电容C1与电容C2左侧的PMOS晶体管P1、P2导通，基准信号Vi通过上面的PMOS晶体管P2直接接至擦除电压Vee，即擦除电压Vee＝Vi为正电压，基准信号Vi通过下面PMOS晶体管P1直接接至Vf1节点，即Vf1＝Vi，因为Vrr＜Vi，故比较器COMP1正输入端电压高于负输入端电压，其输出SLEN 

为高，此时定时器TIME工作，输出如图1c所示的波形。请继续参考图1b所示，与非门被SLEN打开，时钟信号CKA和时钟信号CKB能交替打开开关管TRx和开关管TRy，当时钟信号CKA为低时，开关管TRx的PMOS晶体管栅极为低电平而NMOS晶体管栅极为高电平，电容Cx向电容Cy放电；当时钟 信号CKB为低时，开关管TRy栅极为高电平而导通，电容Cy通过开关管TRy快速放电至0V(此时时钟信号CKA为高，开关管TRx截止)；当时钟信号CKA与时钟信号CKB均为高时，开关管TRx与开关管TRy均截止。当SLEN为低电平时，电容Cx被快速充电至基准信号Vi，SLEN变高后，随着时间推移，电容Cx的电荷逐渐降低，从而图1b的输出电压OUT逐渐降低，由于图1b的输出接至图1a的比较器COMP2的负输入端，比较器COMP2的正输入端Vf2随着时间推移，电压由基准信号Vi向Vi+(Vee-Vi)*C3/(C3+C4+Cin)降低，其中Cin为比较器COMP2的输入电容，在Vf2高于斜率参考电压发生器的输出电压OUT时，比较器COMP2输出电平PE为高，负电压电荷泵Charge Pump持续工作，擦除电压Vee继续降低，擦除电压Vee低至某值后，Vf2＜OUT，则比较器COMP2输出电平PE变为低电平，负电压电荷泵不工作，擦除电压Vee上升，擦除电压Vee升至一定值后，Vf2＞OUT，则比较器COMP2输出电平PE为高电平，负电压电荷泵Charge Pump又工作使Vee下降，周而复始，使擦除电压Vee能维持于所需负电压(如-11V)。 

然而，现有技术存在如下缺点：由于擦除电压Vee不是线性的，每次输出电压PE动作均使擦除电压Vee有跳变，擦除电压Vee即使经过整流，其跳变必然会形成不必要的纹波。 

综上所述，可知先前技术的负电压斜率控制电路存在由于擦除电压Vee非线性而产生跳变会形成不必要的波纹的问题，因此，实有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。 

发明内容

为克服上述现有技术存在的由于擦除电压非线性而产生跳变形成不必要的波纹的问题，本发明的主要目的在于提供一种负电压斜率控制电路，使得擦除电压下降较为平缓，避免现有技术中存在的擦除电压会产生跳变形成纹波的问题。 

为达上述及其它目的，本发明一种负电压斜率控制电路，用于对非易失性存储器擦除电压的斜率进行控制，其包含： 

振荡器，用于产生一初始周期波； 

第一开关管，连接于该振荡器，获得一控制周期波，由该控制周期波控制该第一开关管的通断； 

基准恒流源，一端连接一电源，另一端连接于该第一开关管； 

镜像恒流源，连接于该第一开关管，用于对该基准恒流源的电流进行镜像； 

瞬态控制电容，连接于该电源与该镜像恒流源之间；以及 

第二开关管，其一端连接于该瞬态控制电容与该镜像恒流源之间，以形成第一节点，该第二开关管还与一电荷泵连接，该电荷泵输出的负电压经该第二开关管输出一擦除电压，其中