[发明专利]负电压斜率控制电路

权利要求书

1.一种负电压斜率控制电路，用于对非易失性存储器的擦除电压进行控制，其包含：

振荡器，用于产生一初始周期波；

第一开关管，连接于该振荡器，以获得一控制周期波，由该控制周期波控制该第一开关管的通断；

基准恒流源，一端连接一电源，另一端连接于该第一开关管；

镜像恒流源，连接于该第一开关管，用于对该基准恒流源的电流进行镜像；

瞬态控制电容，连接于该电源与该镜像恒流源之间；以及

第二开关管，其一端连接于该瞬态控制电容与该镜像恒流源之间，以形成第一节点，该第二开关管还与一电荷泵连接，该电荷泵输出的负电压经该第二开关管输出一擦除电压，其中

当该控制周期波控制该第一开关管导通时，该基准恒流源的电流被导通至该镜像恒流源进行镜像以形成下拉电流，，该下拉电流使得该瞬态控制电容上的电荷减少，进而使得该第一节点电压降低，该第一节点电压降低控制该第二开关管导通增强，该擦除电压下降。

2.如权利要求1所述的负电压斜率控制电路，其特征在于：在该振荡器与该第一开关管之间，还设有一占空比调节电路，该占空比调节电路对该初始周期波进行调整形成占空比可控的周期波，该控制周期波为该占空比可控的周期波。

3.如权利要求2所述的负电压斜率控制电路，其特征在于：该第一开关管与该镜像电流源之间设有一第一电压限幅器。

4.如权利要求3所述的负电压斜率控制电路，其特征在于：该瞬态控制电容与该镜像电流源之间设有一第二电压限幅器，该第二电压限幅器接于第一节点与该瞬态控制电容之间。

5.如权利要求4所述的负电压斜率控制电路，其特征在于：该第一开关管为一第一PMOS晶体管，该第一PMOS晶体管栅极与该占空比调节电路相接，源极接于该基准恒流源，漏极与该第一电压限幅器相接。

6.如权利要求5所述的负电压斜率控制电路，其特征在于：该第二开关管为一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管的栅极连接于该第一节点，漏极接于该电荷泵，源极输出该擦除电压。

7.如权利要求6所述的负电压斜率控制电路，其特征在于：该镜像恒流源还与该电荷泵连接。