[发明专利]形成QFN集成电路封装的可焊接侧表面端子的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路(IC)封装的方法，其包含：

a)从所述IC封装的端子的侧表面移除氧化物；

b)大致覆盖所述IC封装的所述端子的底侧；以及

c)在覆盖所述IC封装的所述端子的所述底侧的同时，在所述IC封装的所述端子的所述侧表面上形成焊料涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述端子的所述底侧包含可焊接涂层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中大致覆盖所述端子的所述底侧包含将所述IC封装置于垫片上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述垫片包含顺从性或弹性材料。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述垫片包含橡胶或硅酮材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中大致覆盖所述端子的所述底侧包含将所述IC封装的底侧牢固地附接到覆盖物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中将所述IC封装的所述底侧牢固地附接到所述覆盖物包含使用机械装置抵靠着所述覆盖物偏置所述IC封装。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述机械装置包含夹子。

9.根据权利要求1所述的方法，其中从所述IC封装的所述端子的所述侧表面移除氧化物包含使所述端子的所述侧表面暴露于助溶剂。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤b)之前执行步骤a)。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤b)之后执行步骤a)。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在大致覆盖所述端子的所述底侧的同时，执行从所述端子的所述侧表面移除氧化物。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在所述IC封装的所述端子的所述侧表面上形成所述焊料涂层包含：

将所述IC封装预加热到与焊料浴的温度大致相同的温度；以及

使所述IC封装的所述端子的所述侧表面经受所述焊料浴以形成所述焊料涂层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述IC封装的所述端子的所述侧表面上形成所述焊料涂层进一步包含允许所述IC封装从所述焊料浴的大致温度冷却。

15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含清洁所述IC封装以从中移除助溶剂残余物。

16.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含清洁所述IC封装以从中移除焊料残余物。

17.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含激光标记所述IC封装。

18.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含对所述IC封装执行电测试。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述IC封装包含四边无引线框架(QFN)IC封装。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述IC封装包含薄四边无引线框架(TQFN)IC封装。

21.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在执行步骤a)、b)和c)之前执行单片化过程以形成所述IC封装。

22.一种处理多个IC封装的方法，其包含：

从经附接IC封装阵列形成多个个别IC封装；以及

在所述个别IC封装的端子的侧表面上形成焊料涂层。

23.根据权利要求22所述的方法，其中从经附接IC封装阵列形成多个个别IC封装包含沿着连接到经附接IC封装的邻近行的一个或一个以上引线框架切割所述阵列。

24.根据权利要求22所述的方法，其进一步包含在所述经附接IC封装的每一端子的底侧上形成可焊接镀层。

25.根据权利要求22所述的方法，其进一步包含从所述个别IC封装的端子的侧表面移除氧化物。

26.根据权利要求22所述的方法，其进一步包含以交替方式形成所述个别IC封装与覆盖物的堆叠。

27.根据权利要求26所述的方法，其进一步包含使所述堆叠经受用以从所述经堆叠个别IC封装的端子的侧表面移除氧化物的过程。