[发明专利]一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法无效
| 申请号： | 201010247733.7 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102375029A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;周文;刘明;侯成诚;汪幸;闫学锋;谢常青;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 选择性 半导体 薄膜 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1：将5至15mg的多壁碳纳米管与50至100mg的SnO2均匀混合溶于一定量的甘油；
步骤2：充分搅拌后在60℃下超声振荡两个小时使其充分分散；
步骤3：用10至50μl移液器吸取部分混合溶液滴涂在器件的敏感膜上；
步骤4：将器件放到真空干燥箱，在140℃下干燥两小时去除水分和有机物。
2.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜材料的方法，其特征在于，所述基片是石英基片。
3.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜材料的方法，其特征在于，所述甘油是作为SnO2和碳纳米管的分散溶剂。
4.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜材料的方法，其特征在于，步骤2中所述超声振荡，用于使SnO2与碳纳米管分散性更好。
5.根据权利要求1所述的制作高选择性半导体薄膜材料的方法，其特征在于，步骤4中所述将滴涂以后的器件放入真空干燥箱，是用于去除水分和有机物。
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