[发明专利]接触探针

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于检查半导体元件的电气特性的接触探针，尤其涉及即使反复检查导电性也不会劣化的耐久性优越的接触探针。

背景技术

对于集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、发光二极管(LED)等电子部件(即，使用了半导体元件的电子部件)，通过使探针接触半导体元件的电极以检查其电气特性。在这种检查装置(半导体检查装置)中使用的探针(接触探针)，当然要求其具有良好导电性，另外还要求其具有即使与作为被检测体的电极反复接触也不产生磨耗、损伤的程度的优越的耐久性。

接触探针的接触电阻值一般设定为100mΩ以下，但是因反复进行与被检测体的检查，所以存在接触电阻值从数100mΩ劣化至数Ω的情况。

作为对这种情况的对策，可以进行接触探针的清洁、接触探针自身的更换。但是，这些对策使得检查工序的可靠性和运转率明显下降，所以期望实现可发挥即使经过长期使用接触电阻值也不会恶化的特性的接触探针。尤其是，被检测体(电极)为焊料、锡镀层等原料，由于其表面容易氧化而且柔软，所以具有因与接触探针接触而被切去并容易附着在接触探针的前端部的性质，从而难以进行稳定的接触。

作为使接触电阻值稳定化的方法，提出了在接触探针的前端部附近(与电极接触的前端部及其附近)被覆被膜的技术(例如日本特开2001-289874号公报、日本特开2002-318247号公报、日本特开2003-231203号公报、日本特开2007-24613号公报)。这些技术中，对于以类金刚石碳(Diamond Like Carbon：DLC)为代表的碳被膜，混入钨(W)等合金元素，制作兼有碳被膜所具有的对被检测体(电极)的低附着性和基于混入的金属(或者其碳化物)的作用的高导电性的表面被膜，成为重要的要件。

到现在为止所提出的技术中，虽然能够实现低接触电阻值且其耐久性也优越，但是存在被检测体(电极)的附着性却变差的情况。即，在到现在为止所提出的技术中，为了使碳被膜的导电性良好而含有规定量的金属，但是若增加这样的金属(或其碳化物)，将出现碳被膜本来具有的特性即与被检测体(尤其是其含有的Sn)的低附着性却降低的情况。这种倾向虽因所含的金属、碳被膜的内部结构、表面性状等而存在某种程度的差异，但是若考虑金属、碳被膜所具有的性质，该倾向将明显地产生。

发明内容

本发明是着眼于上述的情况而完成的发明，其目的在于，提供一种兼具导电性和耐久性并且能够实现被检测体(特别是其所含的Sn)的低附着性和长期保持稳定的电接触的接触探针。

本发明包含以下的内容。

(1)一种接触探针，其具有基材、和含有金属及其碳化物中至少一种的碳被膜，该碳被膜连续地形成在接触探针的前端部到侧面部的表面上，碳被膜中的金属及其碳化物中的至少一种的含量从所述前端部朝向侧面部连续或者间断地减少。

(2)在(1)记载的接触探针中，将所述前端部的碳被膜中的金属及其碳化物中的至少一种的含量设为A(原子％)、将不与被检测体接触的侧面部的碳被膜中的金属及其碳化物中的至少一种的最大含量设为B(原子％)时，它们的比(B/A)为0.9以下。

(3)在(1)记载的接触探针中，将所述前端部的碳被膜中的金属及其碳化物中的至少一种的含量设为A(原子％)、从所述前端部向根部侧10μm的位置处的侧面部的碳被膜中的金属及其碳化物中的至少一种的含量设为B’(原子％)时，它们的比(B’/A)为0.9以下。

(4)在(1)～(3)中任意一项记载的接触探针中，所述前端部的碳被膜中的金属及其碳化物中的至少一种的含量为5～30(原子％)。

(5)在(1)～(4)中任意一项记载的接触探针中，所述金属为从由钨、钽、钼、铌、钛以及铬所构成的组中选择的一种以上。

(6)在(1)～(5)中任意一项记载的接触探针中，通过接触探针检查的被检测体含有锡或者锡合金。

基于本发明的接触探针的效果，在被检查的被检测体含有锡或者锡合金时能够被有效地发挥。

在本发明的接触探针中，就检查时与被检测体接触的前端部、和检查时不与被检测体接触的侧面部而言，使最有利于电接触的前端部的金属、其碳化物的含量高于其他部分的含量，而使碳被膜中的金属和/或其碳化物的含量不同，由此能够在保持前端部的良好的导电性的同时，确保其他部分的被检测体(特别是其所含的Sn)的低附着性，从而能够长期保持稳定的电接触。

附图说明

图1(a)～(e)是表示使用了本发明的接触探针时的接触原理的示意性说明图。