[发明专利]MEMS振子及其制造方法

说明书

本申请是申请日为2006年11月17日，申请号为200610148484.X，发明名称为“MEMS振子及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及MEMS振子及其制造方法。

背景技术

近年来，在加速度传感器、视频器件等中逐步看到MEMS的发展。MEMS是Micro Electro Mechanical System(微机电系统)的缩写，其包含的概念范围中存在各种解释，有时也被称为显微机械加工(micromachine)、MST(微系统技术：Micro System Technology)，但通常是指“使用半导体制造技术制作的微小的功能元件」。它是以现有的半导体中培养出的微细加工技术为基础制造的。但是，现在是以MEMS单体进行制造，或者利用制造IC后制作等的工艺进行制造。

随着半导体器件的微细化、高集成化的趋势，通孔或接触孔(下面简称为孔)微细化，因此要求金属配线具有高的可靠性。所以，在孔中，配线金属的高有效率是必不可少的，作为改善通孔或接触孔中的配线金属的有效率，即使在孔的长径比大的情况下也能改善配线金属的有效率的方法，已提出有如下的半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：在所形成的孔的底部附近的包围孔的位置上预先形成阻止膜的工序；以及在阻止膜的内壁形成侧壁的工序(例如，参照专利文献1)。

并且，在具有厚的场氧化膜的绝缘栅型等半导体装置的制造方法中，若其场氧化膜的加工形状差，则栅电极、流入主电流的Al等的主配线上，在场氧化膜的肩口上配线变细，极端的情况下，产生配线的分段，电极配线的可靠性明显受损。为了解决这种问题，已提出有如下的半导体装置的制造方法，所述制造方法能够容易地在厚的场氧化膜上形成任意角度的锥形，并且，提高了锥形角度的加工控制性(例如，参照专利文献2)。

【专利文献1】日本特开平5-6891号公报

【专利文献2】日本特开平7-66280号公报

以往，即使在MEMS振子的MEMS结构体部分上产生侧壁状的蚀刻残留物，也仍用较强的过蚀刻(over etching)去除，或保留。今后，在与IC制造同时形成的MEMS工艺中，需要使MEMS结构部平坦化。所以，只要能够防止MEMS结构体部分的侧壁状的蚀刻残留物，就能够提高MEMS振子的可靠性。

发明内容

本发明的目的在于，通过防止MEMS结构体部分的侧壁状的蚀刻残留物，提供可靠性高的MEMS振子及其制造方法。

(1)本发明的MEMS振子包括：基板；固定电极，其形成于所述基板上；以及可动电极，其与所述固定电极对置配置，通过作用于与所述固定电极之间的缝隙上的静电引力或静电斥力进行驱动，所述可动电极在与所述固定电极对置的所述可动电极的支撑梁的内侧面具有倾斜面。

根据本发明，可动电极的支撑梁的内侧面为倾斜面，可以使可动电极的支撑梁的截面形状光滑，能够防止可动电极的侧壁状的蚀刻残留物。由此，能够改善MEMS结构体的动作的妨碍或漏电等，能够提供可靠性高的MEMS振子。

(2)该MEMS振子的所述倾斜面也可以具有倾斜角。

(3)本发明的MEMS振子包括：基板；固定电极，其形成于所述基板上；以及可动电极，其与所述固定电极对置配置，通过作用于与所述固定电极之间的缝隙上的静电引力或静电斥力进行驱动，所述固定电极在侧面部具有锥形面。

根据本发明，通过固定电极的侧面部的锥形面，可使固定电极的侧面部的截面形状光滑，能够防止可动电极的侧壁状的蚀刻残留物。由此，能改善MEMS结构体的动作的妨碍或漏电等，能够提供可靠性高的MEMS振子。

(4)在该MEMS振子中，所述锥形面也可以具有倾斜角。

(5)该MEMS振子的所述缝隙也可以为恒定的间隔。

(6)本发明的MEMS振子的制造方法包括如下工序：在基板上形成在侧面部具有侧壁的固定电极；以及在所述固定电极上方设置缝隙而以对置配置的方式形成可动电极。

根据本发明，通过在固定电极的侧面部形成侧壁，使可动电极的支撑梁的内侧面为倾斜面，从而可使可动电极的支撑梁的截面形状光滑，防止可动电极的侧壁状的蚀刻残留物。由此，能够改善MEMS结构体的动作的妨碍或漏电等，能够提供可靠性高的MEMS振子的制造方法。

(7)本发明的MEMS振子的制造方法包括如下工序：在基板上形成在侧面部具有锥形面的固定电极；以及在所述固定电极上方设置缝隙而以对置配置的方式形成可动电极。