[发明专利]MEMS振子及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010245785.0 申请日: 2006-11-17
公开(公告)号: CN101917175A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 稻叶正吾;佐藤彰 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H03H9/24 分类号: H03H9/24;H03H3/007
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: mems 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS振子,所述MEMS振子包括:

基板;

固定电极,其隔着绝缘膜形成于所述基板上;以及

可动电极,其与所述固定电极对置配置,通过作用于该可动电极与所述固定电极之间的缝隙上的静电引力或静电斥力进行驱动,

所述可动电极通过设置于该可动电极的端部的被固定部隔着所述绝缘膜设置在基板上而进行固定,且在与所述固定电极对置的所述可动电极的支撑梁的内侧面具有倾斜面。

2.根据权利要求1所述的MEMS振子,其中,

所述倾斜面具有倾斜角。

3.一种MEMS振子,所述MEMS振子包括:

基板;

固定电极,其隔着绝缘膜形成于所述基板上;以及

可动电极,其与所述固定电极对置配置,通过作用于该可动电极与所述固定电极之间的缝隙上的静电引力或静电斥力进行驱动,

所述可动电极通过设置于该可动电极的端部的被固定部隔着所述绝缘膜设置在基板上而进行固定,

所述固定电极在侧面部具有锥形面。

4.根据权利要求3所述的MEMS振子,其中,

所述锥形面具有倾斜角。

5.根据权利要求1或3所述的MEMS振子,其中,

所述缝隙为恒定的间隔。

6.一种MEMS振子的制造方法,所述制造方法包括如下工序:

在基板上隔着绝缘膜形成固定电极,该固定电极在侧面部具有侧壁;以及

在所述固定电极上方设置缝隙而以对置配置的方式形成可动电极。

7.一种MEMS振子的制造方法,所述制造方法包括如下工序:

在基板上隔着绝缘膜形成固定电极,该固定电极在侧面部具有锥形面;以及

在所述固定电极上方设置缝隙而以对置配置的方式形成可动电极。

8.根据权利要求6或7所述的MEMS振子的制造方法,其中,

所述可动电极的形成还包括如下工序:

在所述固定电极上形成牺牲膜;以及

之后在所述基板和所述牺牲膜上以与所述固定电极的至少一部分对置配置的方式形成所述可动电极。

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