[发明专利]用于实现功率转换器输入端电压放电电路的方法和装置有效
| 申请号: | 201010245531.9 | 申请日: | 2010-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN101989810A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
| 发明(设计)人: | B·巴拉克里什南;D·龚;R·K·奥尔;D·M·H·马修斯 | 申请(专利权)人: | 电力集成公司 |
| 主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;H02M1/44 |
| 代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 实现 功率 转换器 输入 端电压 放电 电路 方法 装置 | ||
1.电路,包括:
耦合到电源系统的输入的控制电路,所述控制电路被耦合以探测电能源是否耦合到所述电源系统的输入;以及
耦合到所述控制电路并耦合到所述电源系统的输入的开关,所述控制电路被耦合以在所述电能源耦合到所述电源系统的输入时以第一运行模式驱动所述开关,所述控制电路被耦合以在所述电能源从所述电源系统的输入去耦时以第二运行模式驱动所述开关,其中耦合在所述电源系统的输入的输入端之间的电容从所述电功率源从所述电源系统的输入端去耦时起,在小于一最大时间段的时间内通过所述开关被放电到一阈值电压。
2.如权利要求1所述的电路,其中所述电源系统的输出被耦合以提供电能。
3.如权利要求1所述的电路,其中所述开关被耦合以在所述电路的启动阶段内为所述电路的运行提供起动电流。
4.如权利要求1所述的电路,其中所述电源系统的输出被耦合以提供机械能。
5.如权利要求1所述的电路,其中所述电源系统的输出被耦合以提供光能。
6.如权利要求1所述的电路,其中在所述第一运行模式下,所述开关被驱动以调节从所述电源系统的输入到所述电源系统的输出的能量流。
7.如权利要求6所述的电路,其中所述开关被驱动到关断状态以提供备用状况。
8.如权利要求6所述的电路,其中所述开关被驱动以起功率因数校正控制电路的作用。
9.如权利要求1所述的电路,其中所述最大时间段不受在所述电能源从所述电源系统的输入去耦前在所述电源系统的输入和所述电源系统的输出之间的能量流的量影响。
10.如权利要求1所述的电路,其中在所述第一运行模式下,所述控制电路被耦合以驱动所述开关以具有高平均阻抗。
11.如权利要求1所述的电路,其中在所述第一运行模式下,通过所述电路的电流小于30μA。
12.如权利要求1所述的电路,还包括仅两个耦合到外部电路的端子。
13.如权利要求1所述的电路,其中所述耦合在所述电源系统的输入的输入端之间的电容包括一个或多个X电容器。
14.如权利要求1所述的电路,其中所述控制电路和所述开关被包含在一集成电路中。
15.如权利要求1所述的电路,其中所述开关并联耦合于所述电源系统的整流电路的输出。
16.如权利要求1所述的电路,其中所述开关是双向开关。
17.如权利要求1所述的电路,其中所述开关包括耦合到第二MOSFET的第一MOSFET。
18.如权利要求17所述的电路,其中所述第一和第二MOSFET是n沟道MOSFET。
19.如权利要求18所述的电路,其中所述第一MOSFET的漏极耦合到所述电源系统的输入的输入端中的一个,其中所述第二MOSFET的漏极耦合到所述电源系统的输入的输入端中的另一个。
20.如权利要求19所述的电路,其中所述第一和第二MOSFET的源极互相耦合。
21.如权利要求17所述的电路,其中当所述电功率源从所述电源系统的输入端去耦时,所述第一和第二MOSFET中的一个导通以使所述电容在小于所述最大时间段的时间内放电到所述阈值电压。
22.电路,包括:
耦合到功率转换器的输入的控制电路,所述控制电路被耦合以检测电能源是否并联耦合在所述功率转换器的输入的输入端之间;以及
耦合到所述控制电路并耦合到所述功率转换器的输入的输入端的开关,所述控制电路被耦合以在所述电能源并联耦合在所述功率转换器的输入的输入端之间时驱动所述开关以具有高平均阻抗,所述控制电路被耦合以驱动所述开关以从所述电功率源从所述功率转换器的输入的输入端去耦时起,在小于一最大时间段的时间内使耦合在所述功率转换器的输入的输入端之间的电容放电到一阈值电压以下。
23.如权利要求22所述的电路,其中所述耦合在所述功率转换器的输入的输入端之间的电容包括一个或多个X电容器。
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