[发明专利]存储器电路及其控制电路装置

说明书

技术领域

本发明大体涉及电子电路，尤其涉及具有字线驱动器与电平偏移器的存储器电路。

背景技术

一般来说，存储器的字线驱动器具有多重电压电平，可与电平偏移器配合以对存储器中的存储器单元进行读取或写入。存储器单元与字线驱动器会采用较存储器中其他电子元件高的电压，目的在达成高速性能及数据可靠度。存储器的其他电子元件会采用较存储器单元与字线驱动器低的电压，目的在减少漏电流造成的损耗。

传统上，电平偏移器与字线驱动器存在两种实施方式。第一种方式，是在各个字线驱动器上使用一电平偏移器，而第二种方式，是在存储器进行主要控制时采用电平偏移器。两种方式皆需在存储器中采用大量的电平偏移器，因而占用较大的面积。此外，这些方法仍会因为电平偏移器的栅延迟以及漏电流损耗的关系而遭遇速度效能不佳的问题。

因此，业界需要一种改良的字线驱动器结构。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供一种电路装置，包括：一区域控制电路，具有一电平偏移器，其中该电平偏移器将该第一地址信号由一第一电压电平偏移至一第二电压电平，以回应所接受的一第一地址信号，该区域控制电路可提供一准偏移过的第一地址信号；以及一字线驱动器，具有至少一输入以及一输出，该至少一输入用以接收多个地址信号，其中该至少一输入包括一第一输入，用以耦接至该区域控制电路以接收该准偏移过的第一地址信号，而该输出电性耦接至一存储器单元阵列的一字线。

本发明另提供一种存储器电路包括：一区域控制电路，具有一电平偏移器，其中该电平偏移器将该第一地址信号由一第一电压电平偏移至一第二电压电平，以回应所接受的一第一地址信号，该区域控制电路可提供一准偏移过的第一地址信号；一字线驱动器，具有至少一输入，用以接收多个地址信号，其中该至少一输入包括一第一输入，该第一输入用以自该电平偏移器接收该准偏移过的地址信号；以及一存储器单元阵列，具有一字线，其耦接至该字线驱动器的一输出。

本发明另提供一种字线驱动器包括：至少一输入，用以接收多个地址信号，其中该至少一输入以及一输出，该至少一输入包括一第一输入，其耦接至一区域控制电路以接收一准偏移过的第一地址信号，而该输出电性耦接至一存储器单元阵列的一字线，其中该区域控制电路包括一电平偏移器，其中该电平偏移器将该第一地址信号由一第一电压电平偏移至一第二电压电平，以回应所接受的一第一地址信号，进而提供一准偏移过的第一地址信号。

本发明的电路结构透过在区域控制电路上使用电平偏移器，可减少双电源存储器装置中使用电平偏移器的数量。

附图说明

图1为依照本发明一实施例具有一字线驱动器125的系统100的方框图。

图2为依照本发明一实施例，在区域控制电路220、225上具有电平偏移器210、215的存储器115的方框图。

图3为依照本发明一实施例，在区域控制电路220、225上具有电平偏移器210、215的存储器115的方框图。

图4为依照本发明一实施例的一存储器电路图，该存储器在区域控制电路225与双栅延迟字线驱动器405、410、415上具有电平偏移器215。

图5为依照本发明一实施例的存储器的电路图，该存储器在区域控制电路225上具有电平偏移器215，并具有一四栅延迟字线驱动器570。

其中，附图标记说明如下：

100～系统；

110～处理装置；

115～存储器；

120～使用者界面装置；

125～字线驱动器；

150～区域界面；

205～主控制器；

210～电平偏移器；

215～电平偏移器；

220、225～区域控制电路；

230、235～字线驱动器阵列；

260、265、270、275～存储器单元阵列；

280、285～区域输入输出阵列；

290、295～输入输出阵列；

305～解码级；

405、410、415～字线驱动器；

420、425～存储器单元；

430、435、440、445、450、455～存储器单元；

505、510～PMOS晶体管；

515、520～NMOS晶体管；

525～PMOS晶体管；

530、540、550、565～NMOS晶体管；

535、545、555、560～PMOS晶体管。

具体实施方式