[发明专利]X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法有效
申请号: | 201010243338.1 | 申请日: | 2010-08-03 |
公开(公告)号: | CN101908415A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 陆亨;祝忠勇;唐浩;宋子峰;陈长云;安可荣 | 申请(专利权)人: | 广东风华高新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/008 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 华辉;周端仪 |
地址: | 526020 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | x8r 特性 多层 陶瓷 电容器 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及片式电子元器件,特别是一种X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法。
背景技术
电容器是一种能够存储电能的元件,是电子设备中大量使用的电子元件之一,被广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、控制电路等方面,具有使用面广、用量大、不可取代的特点,其产量占电子元件产量的40%以上,产值约占电子元件产值的10%以上。随着电子技术的飞速发展,尤其是整机产业的发展,如以手机、平板显示、汽车电子、照明电子为代表的新型电子产品的不断涌现,给电容器的发展带来了良好的发展机遇。电容器的一个重要部分是片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor,缩写为MLCC)。MLCC根据陶瓷介质的温度特性分类,一般分为两类。第一类为温度补偿型MLCC,其电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间而变化,适用于低损耗、稳定性要求高的电路。第二类为高介电常数MLCC,一般有X5R、X7R、X8R以及Y5V、Z5U等温度特性系列,具有较高的介电常数。其中Y5V、Z5U类介质材料容量稳定性较差,对温度、电压等条件敏感,适用于要求大容量、适用温度范围接近于室温的旁路、耦合等低直流偏压的电路中;X5R、X7R、X8R系列具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广、稳定性要求较高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
片式多层陶瓷电容器不断向小型化、大容量、高压、高温、高频等方向发展。在高温化方面,X8R-MLCC是典型的代表之一,它应用在许多高温环境中的电子设备上,如汽车引擎中的控制电路、石油勘探设备、照明电子等,而这些电子设备的运作环境相当严苛,使用温度可高达150℃,需要忍受多次高温运行、大量温度周期、电压过载以及随机的振动/冲击等,所以对X8R片容的高温特性及可靠性有着极为严格的要求。
我国汽车电子和照明电子等新兴产业的崛起并迅速发展,推动了我国X8R型MLCC的开发进程。国内已有少数厂家能够生产,但均以钯银体系为原材料,价格昂贵使得多数国内汽车电子和照明电子厂商无法接受,而导致产品竞争力降低,市场份额不大,无法改变国内对X8R产品的需求依赖进口的局面。
于是部分厂商尝试降低内电极材料中的钯含量以降低产品成本,而随着低钯含量X8R-MLCC烧结温度的降低,其介质瓷体致密度下降,带来了最终成品可靠性严重下降的结果。
发明内容
为解决上述问题,本发明的的目的在于提供一种片式多层陶瓷电容器的制备方法,其一方面保证了产品的高可靠性,另一方面有效地降低了产品成本。
本发明的目的是这样实现的:一种X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,包括瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、切割、排胶、烧结、封端、烧端,其特征在于:
-所述的瓷浆制备步骤中,所用的钛酸钡结构瓷料中除主要成分BaTiO3外,还包括次要成分为0.1-5wt%的Ca、Mg、Ce、La、Si、Y、Zr、Er、Ni、Nb氧化物中一种或两种以上混合,所用的溶剂是甲苯与无水乙醇重量比为0.5~2∶1的混合溶剂;
-所述的交替叠印内电极和介质层步骤中,内电极材料是镍内电极材料;
-所述的封端步骤中,端电极材料是铜端电极材料;
-所述的烧结步骤中,烧结温度为1220℃~1300℃,由升温段、高温烧成段、降温段、回火段组成,其中的回火段在含O2的N2气氛保护下进行的,O2的体积含量是10ppm~100ppm,回火温度和时间是800℃-1050℃/2~3小时。
所述的钛酸钡结构瓷料的粒颗度是0.30~1.50um的球形体或似球形体。
所述的排胶步骤中,排胶最高温度是270~290℃,总时间是57~60小时。
所述烧结步骤中,升温段和高温烧成段是在含H2的N2气氛保护下进行的,H2含量控制在气氛总量的0.05-5%;在900-1000℃开始至最高温段的升温速率控制在3-7℃/min。
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