[发明专利]X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法有效
申请号: | 201010243338.1 | 申请日: | 2010-08-03 |
公开(公告)号: | CN101908415A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 陆亨;祝忠勇;唐浩;宋子峰;陈长云;安可荣 | 申请(专利权)人: | 广东风华高新科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/008 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 华辉;周端仪 |
地址: | 526020 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | x8r 特性 多层 陶瓷 电容器 制备 方法 | ||
1.一种X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,包括瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、切割、排胶、烧结、封端、烧端,其特征在于:
-所述的瓷浆制备步骤中,所用的钛酸钡结构瓷料中除主要成分BaTiO3外,还包括次要成分为0.1-5wt%的Ca、Mg、Ce、La、Si、Y、Zr、Er、Ni、Nb氧化物中一种或两种以上混合,所用的溶剂是甲苯与无水乙醇重量比为0.5~2∶1的混合溶剂;
-所述的交替叠印内电极和介质层步骤中,内电极材料是镍内电极材料;
-所述的封端步骤中,端电极材料是铜端电极材料;
-所述的烧结步骤中,烧结温度为1220℃~1300℃,由升温段、高温烧成段、降温段、回火段组成,其中的回火段在含O2的N2气氛保护下进行的,O2的体积含量是10ppm~100ppm,回火温度和时间是800℃-1050℃/2~3小时。
2.根据权利要求1所述的X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,其特征在于:所述的钛酸钡结构瓷料的粒颗度是0.35~1.55um的球形体或似球形体,比表面积为4.0-6.0%。
3.根据权利要求1所述的X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,其特征在于:所述的次要成分为:1-2wt%的Ni、Nb氧化物中的一种或两种以上混合;0.2-1wt%的Ca、Mg、Zr氧化物中的一种或两种以上混合;0.5-1wt%的Er氧化物;0.1-0.5wt%的Ce氧化物;0.1-0.5wt%的Y、La氧化物中的一种或两种以上混合。
4.根据权利要求1所述的X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,其特征在于:所述的镍内电极材料的镍粉粒度为0.1-0.4μm,内电极的镍重为5.0-7.0毫克/平方英寸。
5.根据权利要求1所述的X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,其特征在于:所述的排胶步骤中,排胶最高温度是270~290℃,总时间是57~60小时。
6.根据权利要求1所述的X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,其特征在于:所述烧结步骤中,升温段和高温烧成段是在含H2的N2气氛保护下进行的,H2含量控制在气氛总量的0.05-5%。
7.根据权利要求1所述的X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,其特征在于:所述烧结步骤中,在900-1000℃开始至最高温段的升温速率控制在3-7℃/min。
8.根据权利要求1所述的X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,其特征在于:所述的烧端步骤是在含O2的N2气氛中分段进行的,其中,500℃以下是低温段,500℃到烧端最高温度为高温段,烧端最高温度是750~960℃,而且低温段中N2气氛中的氧含量要高于高温段的N2气氛中的氧含量。
9.根据权利要求8所述的X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法,其特征在于:所述低温段N2气氛中的氧含量为50-400ppm,高温段N2气氛中的氧含量为0-50ppm。
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