[发明专利]半导体器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件结构的方法，包括：

在半导体衬底上形成栅极线；

环绕所述栅极线形成栅极侧墙；

在所述栅极线的两侧，嵌入所述半导体衬底中形成源/漏区；

环绕所述栅极侧墙形成导电侧墙；以及

在预定区域切断所述栅极线、栅极侧墙和导电侧墙，切断的栅极线形成电隔离的栅极，切断的导电侧墙形成电隔离的下接触部。

2.根据权利要求1所述的方法，切断所述栅极线、栅极侧墙和导电侧墙的步骤包括：使用反应离子刻蚀或激光切割刻蚀，进行切断。

3.根据权利要求1所述的方法，如果所述半导体衬底上形成有浅沟槽隔离，则切割的位置位于所述浅沟槽隔离的上方。

4.根据权利要求1所述的方法，沿栅宽的方向上，相邻的电隔离栅极之间的距离，以及相邻的电隔离下接触部之间的距离为1～10nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，切断所述栅极线、栅极侧墙和导电侧墙的时间为形成所述导电侧墙之后，以及完成所述半导体器件结构的前道工艺之前。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，切断所述栅极线、栅极侧墙和导电侧墙之前或之后，所述方法进一步包括：

对所述半导体器件结构进行平坦化处理，至所述导电侧墙或下接触部的顶部露出。

7.根据权利要求1所述的方法，所述下接触部用作半导体器件的源/漏区与外部的导电接触。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，在所述导电侧墙形成之后且在进行切断之前，所述方法进一步包括：

将所述栅极线去除以在所述栅极侧墙内侧形成开口；以及

在所述开口内形成替代栅极线。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在形成替代栅极线之前，进 一步包括：在所述开口内形成栅介质层。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，在形成所述导电侧墙后，立即进行所述切断以形成电隔离的栅极和电隔离的下接触部；

并且所述方法进一步包括：

将所述栅极去除以在所述栅极侧墙内侧形成开口；以及

在所述开口内形成替代栅极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成替代栅极之前，所述方法进一步包括：在所述开口内形成栅介质层。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，在切断所述栅极线、栅极侧墙和导电侧墙之后，所述方法进一步包括：

在所述半导体器件结构上形成层间介质层；

在所述层间介质层中形成所述栅极、以及下接触部所对应的上接触部，所述下接触部与上接触部相对。

13.一种半导体器件结构，包括：

半导体衬底；

至少两个晶体管结构，形成在所述半导体衬底上且沿栅宽的方向排列，每一晶体管结构分别包括：

在所述半导体衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质层和栅介质层上的栅极；

仅在所述栅堆叠两侧形成的栅极侧墙；以及

紧邻所述栅极侧墙的两侧形成的下接触部，

其中，沿栅宽的方向上，相邻的晶体管的栅极的端部、栅极侧墙的端部以及下接触部的端部相齐。

14.根据权利要求13所述的半导体器件结构，其中，沿栅宽的方向上，相邻栅极之间的距离、以及相邻下接触部之间的距离为1-10nm。

15.根据权利要求13所述的半导体器件结构，其中，沿栅宽的方向上，所述栅极之间、以及所述下接触部之间通过介质材料隔离。

16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述下接触部与栅堆叠具有相同的高度。 

17.根据权利13所述的半导体器件结构，其中，所述下接触部用作半导体器件的源/漏区与外部的导电接触。

18.根据权利13至17中任一项所述的半导体器件结构，其中，在所述栅极和下接触部上形成有上接触部，所述上接触部与下接触部相对。