[发明专利]超级电容检测控制电路系统有效
申请号: | 201010241950.5 | 申请日: | 2010-07-30 |
公开(公告)号: | CN101949982A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 阎贵东;杨国庆;李兵;沈阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市今朝时代新能源技术有限公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R19/165 |
代理公司: | 深圳冠华专利事务所(普通合伙) 44267 | 代理人: | 诸兰芬 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超级 电容 检测 控制电路 系统 | ||
1.一种超级电容检测控制电路系统,其特征在于,包括放电电路装置和中央处理器;
所述中央处理器控制所述放电电路装置对所述超级电容的两端电压进行检测,并在检测到所述超级电容的端电压高于预设放电电压值时,就输出一个高电平信号,控制所述放电电路装置放电,达到所述超级电容的自平衡。
2.根据权利要求1所述的超级电容检测控制电路系统,其特征在于,所述放电电路装置包括2.8V电压检测集成电路,功率MOSFET,上拉电阻和放电电阻;
上拉电阻R1控制功率MOSFET开始工作;
当2.8V电压检测集成电路的输出口无信号时,上拉电阻两端电压为高,功率MOSFET导通工作;
放电电阻当功率MOSFET工作时,进行放电。
3.根据权利要求2所述的超级电容检测控制电路系统,其特征在于,所述功率MOSFET为N沟道MOSFET。
4.根据权利要求2所述的超级电容检测控制电路系统,其特征在于,所述放电电阻为200欧姆的放电电阻。
5.根据权利要求1至4任一项所述的超级电容检测控制电路系统,其特征在于,还包括过压报警装置;
在单体超级电容的端电压高于预设放电电压值时,中央处理器控制所述过压报警装置对单体超级电容的两端电压进行检测;
当检测到单体超级电容的两端电压上升到过压报警电压时,所述过压报警装置输出一个高电平信号,控制所述过压报警装置的报警电路报警。
6.根据权利要求5所述的超级电容检测控制电路系统,其特征在于,所述过压报警装置包括3.0V电压检测集成电路和报警电路;所述报警电路包括NPN型三极管和蜂鸣器;
在单体超级电容的端电压高于2.8V时,中央处理器控制所述3.0V电压检测IC对单体超级电容的两端电压进行检测,当检测到单体超级电容的两端电压上升到3.0V时,3.0V电压检测IC输出一个高电平信号,控制所述3.0V电压检测IC的报警电路报警,报警电路的外围NPN型三极管导通,而使报警电路上的蜂鸣器发音以示报警。
7.根据权利要求6所述的超级电容检测控制电路系统,其特征在于,还包括低电压复位装置;
中央处理器控制所述低电压复位装置对所述超级电容的两端电压进行检测;
当所述低电压复位装置检测到所述超级电容的两端电压低于预设复位电压时,输出给所述中央处理器一高电平信号,执行出厂复位状态,对所述超级电容进行放电,直到所述超级电容电位为零。
8.根据权利要求7所述的超级电容检测控制电路系统,其特征在于,所述低电压复位装置包括1.2V电压检测集成电路,旁路放电电阻;
中央处理器控制所述1.2V电压检测IC对单体超级电容的两端电压进行检测;
当1.2V低电压检测IC检测到单体超级电容的两端电压低于1.2V时,输出给中央处理器一高电平信号,中央处理器在接收到此信号后,检测单体超级电容两端是否有人为的在放电或电容两端有人为在进行充电;如果没有人为的在工作,中央处理器执行出厂复位状态,把旁路放电电阻打开进行放电,直到电容电位为零;
当1.2V低电压检测IC检测到单体超级电容的两端电压低于1.2V,并且此时既没有给电容充电的信号也没有由电容向外部放电的信号时,中央处理器执行出厂复位状态,把旁路放电电阻打开进行放电,直到电容电位为零。
9.根据权利要求8所述的超级电容检测控制电路系统,其特征在于,还包括人工复位电路;
所述中央处理器还包括人工复位模块,用于检测到人工复位电路被触发时,开启旁路放电电阻,进行放电直到为0V;
当电压没有低于1.2V以下时,如果人为的想复位,按下人工复位电路的复位键,人工复位模块检测到人工复位信号被触发,开启旁路放电电阻进行放电直到为0V时止。
10.根据权利要求8所述的超级电容检测控制电路系统,其特征在于,所述中央处理器还包括旁路电压监控模块,用于检测旁路电压和放电电流,在整个控制电路,包括所述2.8V电压检测IC、所述3.0V电压检测IC、所述1.2V电压检测IC其中之一的电路出现故障时,替换到故障电路而保持工作;
所述中央处理器还包括温度检测模块,用于在单体超级电容充放电时,当单体超级电容温度达到预先设定的温度值时,停止充放电并进行报警。
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