[发明专利]具有预对准图案的半导体晶片和预对准半导体晶片的方法

权利要求书

1.一具有预对准图案的半导体晶片，所述预对准图案包括：

N个刻痕，位于该半导体晶片的边缘，其中N为大于或等于2的整数。

2.如权利要求1所述的具有预对准图案的半导体晶片，其中沿着该半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的所有距离中，至少两个距离是不同的。

3.如权利要求1所述的具有预对准图案的半导体晶片，其中沿着该半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的距离各不相同。

4.一具有预对准图案的半导体晶片，所述预对准图案包括：

N个刻痕，位于该半导体晶片的边缘，其中N为大于或等于1的整数；以及

一平边，位于该半导体晶片的边缘。

5.如权利要求4所述的具有预对准图案的半导体晶片，其中沿着该半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的所有距离中，至少两个距离是不同的。

6.如权利要求4所述的具有预对准图案的半导体晶片，其中沿着该半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的距离各不相同。

7.一种预对准半导体晶片的方法，包括：

提供一半导体晶片，其具有N个刻痕，位于该半导体晶片的边缘，其中N为大于或等于2的整数，以及沿着该半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的所有距离中，至少两个距离是不同的；以及

于制造过程中，使用所述刻痕预对准该半导体晶片。

8.如权利要求7所述的预对准半导体晶片的方法，其中沿着该半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的距离各不相同。

9.如权利要求7所述的预对准半导体晶片的方法，还包括于该半导体晶片上提供一平边，其位于该半导体晶片的边缘，其中沿着该半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的距离或者该平边与一邻接的刻痕之间的所有距离中，至少两个距离是不同的。

10.如权利要求9所述的预对准半导体晶片的方法，其中沿着该半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的距离及该平边与一邻接的刻痕之间的距离各不相同。