[发明专利]一种双导电极、基于双导电极的OLED器件及制备方法

说明书

技术领域

本发明属于光电器件领域(包括电致发光器件和光伏器件)，具体涉及一种双导电极、基于双导电极的OLED器件及制备方法。

背景技术

在一定的电场下，被相应的电能所激发而产生的发光现象称为电致发光(Electroluminescence，EL)。有机电致发光器件属于载流子双注入型发光器件，称为有机发光二极管(organic light-emitting diodes，OLEDs)。最简单的OLED器件是单层器件，在正极和负极之间制备一种或几种有机材料组成的发光层。有机电致发光过程大致由以下5步组成

(1)载流子的注入

(2)载流子的迁移

(3)载流子的复合

(4)激子的迁移

(5)电致发光

当OLED技术发展成熟并实现批量生产时，势必要将OLED器件制备到硅基上。将OLED器件与硅基集成电路板相结合必然是大势所趋。因为驱动电路等都是制备在集成电路板上，该技术在工业上已经相当成熟，而集成电路板都是由硅基制备的，因此，OLED器件的阳极材料需要选用硅片(wafer)。硅基板的透光性较差，这就使得电致发光必须从OLED器件的阴极出射，即顶发射OLED器件(图1)。因此，制备发光性能优良的顶发射OLED器件，尽可能提高EL光的阴极出射效率，就成为了OLED器件研究的当务之急。

近年来，很多学者都投身于顶发射OLED器件的研究中，并得到了一些比较好的研究成果。

为了使顶发射OLED器件的载流子浓度更加趋于平衡，文献1(G.G.Qin，A.G.Xu，G.L.Ma et al.，A top-emission organic light-emitting diode with a silicon anode and an Sm/Au cathode，Applied Physics Letters，2004，85(22)，5406-5408.)将低功函数稀有金属钐(Sm，2.7eV)制备到OLED器件中，阴极的电子注入能力得到了较大的提高；并且钐电极与Alq构成的界面又具有较低的吸收系数(α＝2.8×10⁵cm^-1)和较低的反射率，这更有利于Sm电极应用到顶发射器件中。但是钐电极在空气中很不稳定，他们又在15nm钐电极上制备了15nm的金层，既保护了钐电极，又提高了整体阴极的电导率。实验结果表明，该器件的最大亮度为1800cd/m²，器件效率可以达到0.55cd/A和0.07lm/W。

文献2(Shih Feng Hsu，Chung-Chun Lee，Andrew T.Hu，et al.，Fabrication of blue top-emitting organic light-emitting devices with highly saturated color，Current Applied Physics，2004，4，663-666.)采用了Ca/Ag透明阴极，制备了顶发射OLED器件。后来，文献3(Shih-Feng Hsu，Chung-Chun Lee，Shiao-Wen Hwang et al.，Highly efficient top-emitting white organic electroluminescent devices，Applied Physics Letters，2005，86，253508.)又将Ca(5nm)/Ag(15nm)/SnO₂作为器件阴极，得到了更好的实验结果。SnO₂的膜层厚度为22.5nm时，器件阴极出光的电流效率为2.7cd/A，半高全宽只有64nm。