[发明专利]一种双导电极、基于双导电极的OLED器件及制备方法无效

专利信息
申请号: 201010237594.X 申请日: 2010-07-27
公开(公告)号: CN101931059A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 曲波;陈志坚;肖立新;龚旗煌 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人: 俞达成
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 导电 基于 oled 器件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种双导电极,其特征在于所述电极为金属与介质混合的混合膜层。

2.如权利要求1所述的电极,其特征在于介质与金属的混合比例为1∶4~4∶3;所述金属为低功函数的金属;所述介质为金属氧化物、或金属卤化物、或三五族化合物、或四六族化合物。

3.如权利要求1或2所述的电极,其特征在于所述金属为Al,所述介质为LiF;其中LiF∶Al为4∶4,所述混合膜层的厚度为50nm。

4.一种基于双导电极的OLED器件,其特征在于所述OLED器件的一电极层为双导电极层,其中所述双导电极层为金属与介质混合的混合膜层。

5.如权利要求4所述的器件,其特征在于所述双导电极层中介质与金属的混合比例为1∶4~4∶3;所述金属为低功函数的金属;所述介质为金属氧化物、或金属卤化物、或三五族化合物、或四六族化合物。

6.如权利要求4或5所述的器件,其特征在于所述OLED器件的阴极为所述双导电极层,其中所述双导电极层中介质与金属的混合比例为4∶4。

7.一种基于双导电极的OLED器件制备方法,其步骤为:

在基片上真空蒸镀一空穴传输层;

在空穴传输层上真空蒸镀一发光层兼电子传输层;

在发光层兼电子传输层上制备一双导电极层,其中所述双导电极层为金属与介质混合的混合膜层。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于所述双导电极层中介质与金属的混合比例为1∶4~4∶3;其中,金属为低功函数的金属,介质为金属氧化物、或金属卤化物、或三五族化合物、或四六族化合物。

9.如权利要求7或8所述的方法,其特征在于采用真空蒸镀法,通过调节金属与介质的蒸镀速率,在发光层兼电子传输层上制备所述双导电极层;所述发光层兼电子传输层为Alq3

10.如权利要求9所述的方法,其特征在于所述双导电极层中介质与金属的混合比例为4∶4。

11.一种基于双导电极的OLED器件制备方法,其步骤为:

在基片上真空蒸镀一空穴传输层;

在空穴传输层上真空蒸镀一发光层;

在发光层上真空蒸镀一电子传输层;

在电子传输层上制备一双导电极层,其中所述双导电极层为金属与介质混合的混合膜层。

12.如权利要求11所述的方法,其特征在于采用真空蒸镀法,通过调节金属与介质的蒸镀速率,在发光层兼电子传输层上制备所述双导电极层;所述双导电极层中介质与金属的混合比例为4∶4。

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