[发明专利]极度圆孔屏蔽的栅槽MOSFET器件及其生产工艺有效
| 申请号： | 201010236251.1 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101950720A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 常虹;戴嵩山;李铁生;王宇 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 极度 圆孔 屏蔽 mosfet 器件 及其 生产工艺 | ||
1.一种生产半导体器件的方法，其特征在于，包括下述步骤：
沿基片垂直方向建立一个调整界标，从而提供一个可测量的控制参数，用来控制生产过程，获得具有预先设定的垂直调整指标的结构特征。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的生产工艺包括开一个具有可控深度的槽的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的建立垂直调整界标的步骤包括在所述槽中开一个圆孔，使其旁向膨胀超出槽壁，从而为垂直调整提供所述界标的步骤。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的在槽中开圆孔的步骤进一步包括在所述槽开一个圆孔以及用栅材料充填所述圆孔使其具有屏蔽栅槽结构的功能的步骤。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述开圆孔的步骤是采用各向同性基片腐蚀法在所述槽底部开一个圆孔。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：在充填有所述栅材料的所述圆孔顶部生成一层绝缘层，从而构建一个所述屏蔽栅槽结构，作为与所述槽分隔开来的结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：用所述栅材料充填所述槽以及从所述槽顶面回蚀所述栅材料，从而在所述槽中生成槽栅，使所述屏蔽栅槽结构位于所述槽栅之下的所述圆孔中。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：在围绕所述槽栅的所述基片中生成一个体区和一个源区，以生产一个MOSFET器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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