[发明专利]防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术，尤其涉及一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离(plating peeling)的方法。

背景技术

一些芯片封装技术要求在芯片的焊盘(pad)上镀金或者银等其他金属层，然后在该金或者银等其他金属层上制作铜等金属引线，所述金或者银金属层的作用是降低铜金属引线与焊盘的接触电阻。

参见图1A，在衬基101上沉积介质层102，通过光刻、刻蚀在所述介质层102内形成接触通孔103；

参见图1B，沉积金属填充所述接触通孔103，在所述介质层102的表面上形成一金属层104；

参见图1C，通过涂胶、曝光、显影在所述金属层104的表面上形成光刻胶图案105；

所述光刻胶图案105定义金属互连线；

参见图1D，以所述光刻胶图案105为掩蔽层，刻蚀掉部分所述金属层104，去光刻胶后，在所述介质层102的表面上形成金属互连线106；

表面覆盖有光刻胶的金属层在刻蚀过程中保留下来了，而表面未覆盖有光刻胶的金属层在刻蚀过程中被刻蚀掉，保留下的金属层构成金属互连线106；

参见图1E，在所述介质层102、金属互连线106的表面上形成一钝化层107；

参见图1F，在所述钝化层107的表面上旋涂正光刻胶(positive resist)108，采用晶圆边缘曝光(wafer edge exposure，WEE)对晶圆进行洗边处理；

正光刻胶的基本特征是，曝光的正光刻胶可在显影液中软化并溶解在其中，而没有曝光的正光刻胶不能溶解于显影液中；

采用晶圆边缘曝光WEE对晶圆进行洗边处理具体为：对晶圆边缘进行曝光，而晶圆其他区域则掩蔽起来不曝光，在显影液中去除晶圆边缘的部分正光刻胶，以去除晶圆边缘处的正光刻胶，达到洗边的目的；

该正光刻胶108用于定义接触窗口(即焊盘)，接触窗口上的钝化层将被刻蚀掉；

参见图1G，通过曝光、显影，在所述钝化层107的表面上形成定义接触窗口的正光刻胶图案109；

参见图1H，以所述正光刻胶图案109为掩蔽，刻蚀掉部分所述钝化层107，在刻蚀过程中，在需要形成接触窗口的区域，由于没有光刻胶的保护，该区域的钝化层被刻蚀掉，露出金属表面，形成接触窗口110(即焊盘)，在晶圆边缘也没有光刻胶的保护，晶圆边缘的钝化层和介质层被刻蚀掉，露出所述衬基101的表面，见图1H中的虚线圈；刻蚀后去除光刻胶；

接下来要在所述接触窗口110的表面上制作金属镀层(金或银)，通常采用在所述接触窗口110的表面上镀金属的方法，在镀金属的过程中，期望金属只镀在所述接触窗口110的金属表面上，而其他区域不期望镀上金属，即进行有选择性的镀金属；

但是，由于晶圆边缘的钝化层和介质层均被刻蚀掉，在镀金属的过程中，晶圆边缘容易镀上金属，而镀在晶圆边缘的金属不能与所述衬基101紧密粘合，容易剥离(peeling)，剥离的金属会污染晶圆，而且晶圆的边缘是不期望镀金属的区域，这会影响半导体器件的电学性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，能有效防止晶圆边缘镀上金属，从而防止晶圆边缘产生镀金属剥离。

为了达到上述的目的，本发明提供一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，该晶圆的表面上形成有钝化层，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶，该曝光后的负光刻胶在刻蚀部分所述钝化层形成焊盘的过程中保护所述钝化层的边缘不被刻蚀。

上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶的具体步骤是，在所述钝化层的表面上涂覆负光刻胶；通过晶圆边缘曝光将所述钝化层边缘表面上的负光刻胶曝光；通过显影去除所述钝化层表面上的未曝光的负光刻胶，在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环。

上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，所述负光刻胶环的宽度为1～5毫米。

上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环后，在所述钝化层的表面上涂覆正光刻胶，所述负光刻胶环包围着所述正光刻胶。

上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，所述钝化层表面上的正光刻胶用于定义制作焊盘的区域。

上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶的具体步骤是，在所述钝化层的表面上涂覆负光刻胶；通过曝光、显影在所述钝化层的表面上形成制作焊盘的负光刻胶图案。