[发明专利]防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法有效
| 申请号： | 201010235623.9 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101916722A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 边缘 产生 镀金 剥离 方法 | ||
1.一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，该晶圆的表面上形成有钝化层，其特征在于，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶，该曝光后的负光刻胶在刻蚀部分所述钝化层形成焊盘的过程中保护所述钝化层的边缘不被刻蚀。
2.如权利要求1所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶的具体步骤是，在所述钝化层的表面上涂覆负光刻胶；通过晶圆边缘曝光将所述钝化层边缘表面上的负光刻胶曝光；通过显影去除所述钝化层表面上的未曝光的负光刻胶，在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环。
3.如权利要求2所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，所述负光刻胶环的宽度为1～5毫米。
4.如权利要求2或3所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环后，在所述钝化层的表面上涂覆正光刻胶，所述负光刻胶环包围着所述正光刻胶。
5.如权利要求4所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，所述钝化层表面上的正光刻胶用于定义制作焊盘的区域。
6.如权利要求1所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶的具体步骤是，在所述钝化层的表面上涂覆负光刻胶；通过曝光、显影在所述钝化层的表面上形成制作焊盘的负光刻胶图案。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
